类型：NPN型射频晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：1.5A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：2W
　　频率范围：800MHz - 2.7GHz
　　增益（hfe）：典型值为60
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

CXG1106EN-T2 具备多项优异的电气特性和设计优势。首先，其高频响应能力使其在800MHz至2.7GHz的范围内表现出色，适用于多种现代无线通信标准。该器件的增益（hfe）典型值为60，能够在低电流条件下提供良好的放大性能，有助于提高系统效率。此外，该晶体管的封装形式为SOT-89，具有良好的散热性能，适合在高功率应用中使用。
　　在可靠性方面，CXG1106EN-T2 的最大集电极电流为1.5A，集电极-发射极电压和集电极-基极电压均可达30V，使其能够在较高的电压和电流环境下稳定工作。最大功耗为2W，能够在较宽的温度范围内（-55°C至+150°C）正常运行，适用于各种严苛的工作环境。
　　该晶体管还具备良好的线性度和低噪声特性，适合用于高精度的射频信号放大和处理。其低功耗设计也有助于延长电池供电设备的使用寿命，广泛应用于便携式通信设备、无线基站、工业控制系统和射频测试设备等领域。

CXG1106EN-T2 主要应用于无线通信领域的射频功率放大器和信号放大器设计。它广泛用于GSM、CDMA、WCDMA和LTE等移动通信系统的基站设备中，作为射频前端模块中的关键元件，负责放大高频信号以确保稳定的无线通信性能。此外，该晶体管也可用于无线局域网（WLAN）、WiMAX、蓝牙和其他短距离无线通信系统中的功率放大模块。
　　在工业和消费类电子设备中，CXG1106EN-T2 可用于射频测试设备、远程控制模块、无线传感器网络以及便携式无线电设备。由于其优异的高频性能和低功耗特性，该器件也常用于无人机通信模块、卫星通信设备和射频识别（RFID）系统中。
　　在设计上，CXG1106EN-T2 常与其他射频元件（如滤波器、双工器和天线）配合使用，构建完整的射频前端电路。工程师可以利用其优良的线性度和稳定性，优化射频系统的整体性能，提高信号传输的可靠性和抗干扰能力。

CXG1106EN-T2的替代型号包括：MRFIC1106、BLF188XR、BFR93A、BFQ69C、BFP740