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CXG1100TN-T2 发布时间 时间:2025/8/18 12:53:40 查看 阅读:23

CXG1100TN-T2是一款由Cissoid公司推出的高温双路栅极驱动器集成电路,专为在极端高温环境下(如航空航天、工业自动化、电动汽车等领域)的功率半导体器件(如SiC和GaN MOSFET)驱动应用而设计。该芯片采用耐高温封装技术,可在高达+225°C的环境温度下稳定工作,具有高可靠性和强抗干扰能力。

参数

型号: CXG1100TN-T2
  封装类型: TQFP
  工作温度范围: -55°C 至 +225°C
  电源电压范围: 9V 至 35V
  驱动能力: 高达1.5A(峰值)
  输入逻辑电平兼容性: 3.3V/5V
  传播延迟: 典型值为20ns
  通道数: 2
  绝缘耐压: 符合IEC 60747-17标准

特性

CXG1100TN-T2具备出色的高温稳定性,能够在极端温度环境下长时间运行而不会影响性能或可靠性。其高驱动能力使其适用于驱动高功率的宽禁带(WBG)半导体器件,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)MOSFET。芯片内部集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,确保在电源电压不足时不会误触发功率器件,从而提高系统安全性。此外,CXG1100TN-T2采用了抗辐射设计,适用于航空航天等高要求环境。其低传播延迟和通道间匹配特性,有助于提高功率转换效率和系统的动态响应性能。
  该驱动器还具备良好的共模瞬态抗扰度(CMTI),有效防止高速开关过程中产生的干扰影响信号完整性。CXG1100TN-T2的封装设计优化了热管理性能,确保在高负载情况下仍能保持良好的散热效果。其输入逻辑电平兼容性强,支持与多种控制器(如DSP、FPGA、MCU等)直接连接,方便系统集成。
  此外,该芯片具备较强的抗电磁干扰(EMI)能力,有助于满足工业和航空航天领域的电磁兼容性要求。CXG1100TN-T2的设计充分考虑了长期运行的稳定性和可靠性,适用于需要高可用性和高安全性的关键应用场合。

应用

CXG1100TN-T2广泛应用于高温和高可靠性要求的功率电子系统中,如航空航天电子系统、电动汽车驱动器、工业高温逆变器、高功率密度DC-DC转换器、可再生能源系统(如太阳能逆变器)以及深井钻探设备等。它特别适合用于驱动碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带功率器件,以实现高效率、高频率和高温度下的稳定运行。

替代型号

Si8235BBC-C-ISR, ADuM4223-1BRZ

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