时间：2025/8/18 22:35:45
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CXG1092N-T4 是一款由CXT（ChipX Technology）公司生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理和功率转换应用设计，具备低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性等特点。CXG1092N-T4采用TO-252（DPAK）封装形式，适用于多种工业和消费类电子产品中的开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。其设计目标是在高频开关条件下提供优异的性能，同时保持较低的开关损耗和导通损耗。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：90A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为8.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
CXG1092N-T4具有多项优异的电气和热性能，能够满足高性能功率转换系统的需求。其主要特点包括：
1. **低导通电阻**：RDS(on) 最大值为8.5mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。
2. **高电流能力**：最大漏极电流可达90A，适合高功率密度设计，能够支持大电流负载的应用需求。
3. **高耐压特性**：漏源击穿电压（VDS）为100V，确保该器件能够在较高电压环境下稳定运行，增强了系统的可靠性。
4. **快速开关特性**：具备低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），可实现快速开关切换，降低开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC变换器。
5. **优异的热稳定性**：采用优化的封装设计和热管理技术，确保器件在高功率工作状态下仍能保持良好的散热性能，延长使用寿命。
6. **广泛的工作温度范围**：支持-55°C至+175°C的工作温度范围，适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。
7. **坚固耐用的封装结构**：TO-252（DPAK）封装不仅便于安装和焊接，而且具备良好的机械强度和热稳定性，适合多种PCB布局要求。
CXG1092N-T4凭借其高性能特性，广泛应用于以下领域：
1. **开关电源（SMPS）**：适用于AC-DC和DC-DC转换器，提供高效的功率转换能力，适用于服务器电源、通信电源、适配器等设备。
2. **电机驱动和负载开关**：在电动工具、家电、工业自动化设备中用于控制电机或高功率负载的开关操作。
3. **电池管理系统（BMS）**：用于电池充放电管理电路，作为高效率的功率开关元件。
4. **汽车电子**：适用于车载电源系统、DC-DC变换器、LED驱动模块等汽车应用，满足AEC-Q101标准的可靠性要求。
5. **UPS（不间断电源）和储能系统**：在UPS和储能设备中用于高频逆变器和功率调节模块。
6. **工业自动化和控制系统**：用于PLC（可编程逻辑控制器）、工业电源模块、自动化设备中的功率开关控制。
此外，CXG1092N-T4还可用于LED照明驱动、太阳能逆变器、电焊机、电源管理模块等多种高功率应用场景。
IRF1405, SiR142DP-T1-GE, FDS4410A, IPD90N10S3-03
