CXG1030N-T4 时间：2025/8/18 7:38:45 阅读：16

CXG1030N-T4 是一款由C2Micro（芯炽科技）推出的高性能、低功耗的N型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等应用设计。其采用了先进的沟槽式（Trench）MOSFET技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于中高功率的开关电源系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：100A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：5.3mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
　　封装形式：TOLL（Thin Outline Large Power Package）

特性

CXG1030N-T4 具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，非常适合高电流应用。该MOSFET采用了TOLL封装，具有较小的封装体积，同时支持更高的功率密度，适合空间受限的设计。此外，该器件具备良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持较低的温升，从而提升系统的可靠性和寿命。
　　其次，CXG1030N-T4 的栅极驱动电压范围宽（最高可达20V），使其在不同驱动条件下均能保持良好的性能表现。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。此外，该器件具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发短路或过载情况下提供更强的保护能力。
　　最后，CXG1030N-T4 在制造过程中采用了符合RoHS标准的材料，支持无铅焊接工艺，适用于环保型电子产品设计。其封装结构设计优化了PCB布局的散热性能，进一步提升了系统的整体热管理能力。

应用

CXG1030N-T4 主要应用于需要高效功率管理的各类电子系统中。典型应用场景包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、服务器和通信设备的电源模块、电动工具及电动自行车的电池管理系统、工业自动化控制设备、LED照明驱动电路以及各类负载开关电路。其高效率、低损耗和高可靠性的特点使其成为高性能电源设计的理想选择。