CXG1006N-T4 时间：2025/8/18 17:05:30 阅读：32

CXG1006N-T4是一款由Crenic Semiconductor（创芯半导体）设计制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和优异的热稳定性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）以及负载开关等场景。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：6A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：≤28mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：≤38mΩ
　　功率耗散（Pd）：1.2W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

CXG1006N-T4具有多项优异的电气和热性能。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。其次，该器件支持高达100V的漏源电压，能够适应多种高压应用场景，具备良好的电压裕量。此外，其栅极驱动电压兼容4.5V至10V，适用于常见的逻辑电平驱动电路。在热管理方面，该MOSFET采用TO-252封装，具备良好的散热能力，适用于高功率密度设计。其高可靠性设计也使其适用于汽车电子、工业控制等对稳定性要求较高的领域。
　　从结构上看，CXG1006N-T4采用了优化的沟槽式MOSFET结构，提高了载流子迁移率，降低了导通压降。同时，其内部寄生二极管具备良好的反向恢复特性，适用于高频开关应用。该器件还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。在制造工艺上，采用了先进的光刻和金属沉积技术，确保参数一致性与长期稳定性。这些特性使得CXG1006N-T4在各类功率电子系统中具有广泛的适用性与良好的性能表现。

应用

CXG1006N-T4广泛应用于多种功率电子系统中，尤其适用于需要高效率和高稳定性的场景。在开关电源（SMPS）中，该器件可用于主开关或同步整流器，显著降低导通损耗并提升整体效率。在DC-DC转换器中，CXG1006N-T4可作为高侧或低侧开关，实现高效的电压转换。由于其良好的热性能和高可靠性，该器件也常用于电池管理系统（BMS）中作为充放电控制开关。此外，它还可用于负载开关、电机驱动电路、LED照明驱动电源以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。在汽车电子系统中，如车载充电器（OBC）或DC-DC转换模块中，CXG1006N-T4同样表现出良好的适应性和稳定性。