CXDB3ABAM-MK-A是一款高性能的双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),广泛应用于各种功率放大和开关电路中。该器件采用了先进的制造工艺,确保了其在高频率和高功率环境下的稳定性和可靠性。
该型号属于CXDB系列,主要针对工业和通信领域设计,能够提供较高的电流增益和较低的饱和电压。此外,它还具备出色的热性能,适合长时间连续运行的应用场景。
集电极-发射极击穿电压:80V
集电极最大电流:15A
直流电流增益(hFE):100~600
集电极-发射极饱和电压:1.2V
功率耗散:150W
工作结温范围:-55℃~175℃
存储温度范围:-65℃~150℃
封装类型:TO-247
CXDB3ABAM-MK-A具有以下主要特性:
1. 高电流处理能力,适用于大功率应用。
2. 较低的饱和电压,有助于减少功率损耗。
3. 宽广的工作温度范围,能够在极端环境下正常运行。
4. 良好的热稳定性,确保长期使用中的可靠性。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
6. 高频响应特性优良,适用于高频放大器和开关电路。
7. 封装形式坚固耐用,便于安装和散热设计。
该芯片的主要应用场景包括:
1. 功率放大器:用于音频设备、无线通信基站等需要高功率输出的场合。
2. 开关电路:如电机驱动、电源管理模块中的高速开关。
3. 工业控制:例如变频器、逆变器和不间断电源(UPS)。
4. 汽车电子:点火系统、电动助力转向等。
5. 通信设备:用于射频放大器和其他相关组件。
6. 其他需要高效能和高可靠性的电力转换及控制设备。
CXDB3ABBM-MK-A
CXDB3ACAM-MK-A
MJE350
2N3055