时间：2025/8/18 5:00:55
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CXB1455R-T4是一款由Rohm Semiconductor制造的N沟道功率MOSFET，主要用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。该MOSFET具有高耐压特性，适合用于电源管理和功率控制领域。其设计旨在提供卓越的能效和稳定性，同时具备较小的封装尺寸，便于集成到紧凑型电子设备中。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏极电流：30A
最大漏源电压：60V
导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ
栅极电压：10V
封装类型：T4
CXB1455R-T4的主要特性包括其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件的高耐压能力（60V）使其能够承受较大的电压波动，从而增强电路的稳定性。
此外，CXB1455R-T4采用了高效的封装技术，使得在高电流工作条件下仍能保持较低的热阻，从而减少了散热需求并提高了可靠性。
这款MOSFET的栅极驱动电压为10V，确保了快速的开关操作，同时降低了开关损耗。这种特性在高频应用中尤为重要，例如开关电源和电机控制。
另外，CXB1455R-T4的封装设计优化了空间利用，使其非常适合用于需要高密度布局的电子设备中。
CXB1455R-T4广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动器。此外，它也常用于电池管理系统（BMS）和负载开关应用，以实现高效的功率控制和分配。
在消费类电子产品中，该器件可用于便携式设备的电源管理单元，以延长电池寿命并提高能效。在工业自动化和控制系统中，CXB1455R-T4能够提供稳定的功率切换功能，从而确保设备的可靠运行。
由于其高耐压和低导通电阻的特性，CXB1455R-T4还适用于新能源领域，例如太阳能逆变器和电动汽车的电力管理系统。
Si4410BDY-T1-GE3, IRFZ44N, FDP6030L
