CX77211-14 时间：2025/8/22 2:14:05 阅读：4

CX77211-14 是一款由 Cissoid 公司生产的高温、高可靠性、双通道、隔离式 IGBT 或 SiC MOSFET 栅极驱动器芯片，专为极端环境下的高功率应用而设计。该器件采用先进的硅绝缘体（SOI）技术，具有出色的热稳定性和抗干扰能力。CX77211-14 特别适用于航空航天、电动汽车（EV）、可再生能源系统（如太阳能逆变器）以及工业电机控制等对可靠性和温度范围有极高要求的场景。

参数

供电电压范围：9V 至 30V
　　输出驱动电流：±3A（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　输入信号兼容性：CMOS/TTL
　　最大工作频率：200kHz
　　隔离电压：5kVRMS（符合 UL、IEC 标准）
　　传播延迟：＜100ns
　　上升/下降时间：＜20ns
　　输出高电平电压（VOH）：18V（典型）
　　输出低电平电压（VOL）：-9V（典型）
　　输入到输出延迟匹配：＜10ns

特性

CX77211-14 采用 SOI（Silicon-on-Insulator）技术制造，具备优异的高温稳定性和抗闩锁能力，可在高达 +175°C 的环境温度下长期稳定运行。其双通道设计支持独立的上下桥臂驱动，内置的米勒钳位功能可有效防止寄生导通，提高系统可靠性。
　　芯片内置欠压锁定（UVLO）保护功能，当供电电压低于安全阈值时，自动关闭输出以防止功率器件误动作。此外，CX77211-14 还具备过流和短路保护机制，进一步增强系统安全性。
　　该芯片具备高达 5kVRMS 的电气隔离能力，符合 IEC 60747-17 和 UL1577 标准，适用于需要高功能安全性的应用场合。其封装形式为高温耐受型陶瓷 DIP，具备出色的机械稳定性和长期可靠性。
　　CX77211-14 的输入接口兼容标准 CMOS/TTL 电平，便于与各种控制器连接。其高速特性（传播延迟小于 100ns）使其适用于高频开关应用，如 SiC 和 GaN 功率器件的驱动。此外，其低输出阻抗设计可有效驱动高栅极电荷的功率晶体管。

应用

CX77211-14 主要应用于需要在高温、高电磁干扰环境下工作的高功率系统中。典型应用包括电动汽车主驱逆变器、航空航天电源系统、混合动力汽车（HEV）逆变器、太阳能逆变器、风力发电变流器、工业电机驱动器、UPS（不间断电源）系统以及固态继电器等。
　　由于其出色的热稳定性和隔离性能，该芯片特别适合用于 SiC MOSFET 和 IGBT 的高速驱动，尤其在要求高效率和高可靠性的新能源汽车电驱系统中具有广泛应用前景。