CW574 时间：2025/12/27 8:47:31 阅读：12

CW574是一款由华润微电子推出的高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及各类开关电源系统中。该器件采用先进的沟槽型场效应晶体管工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性等优点，能够有效降低系统功耗并提升整体效率。CW574适用于多种封装形式，常见为SOT-23或SOT-323小型表面贴装封装，适合对空间要求较高的便携式电子产品设计。其额定电压通常在20V至30V范围，最大持续漏极电流可达数安培，具体数值需参考官方数据手册。由于其优异的电气性能和紧凑的封装尺寸，CW574在消费类电子、工业控制、通信设备及电池供电系统中得到了广泛应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对绿色环保的要求。

参数

型号：CW574
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：5.8A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：23A
　　导通电阻(RDS(on))：18mΩ @ VGS=10V, 12mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：580pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：220pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：60pF @ VDS=15V
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

CW574具备出色的导通性能和开关特性，其核心优势在于采用了优化的沟道设计与先进的制造工艺，使得器件在低栅极驱动电压下仍能实现极低的导通电阻，显著减少导通损耗，提高系统能效。该MOSFET在VGS=4.5V时RDS(on)仅为12mΩ，表明其非常适合用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。同时，较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd）确保了快速的开关响应能力，有助于降低开关过程中的能量损耗，尤其在高频PWM调制应用中表现优异。
　　该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，结温最高可达150°C，结合较小的封装尺寸，依然保持较强的散热能力。通过合理的PCB布局和敷铜设计，可进一步提升其功率处理能力。CW574还具备较强的抗雪崩能力和过载耐受性，在瞬态负载或短路情况下表现出较高的鲁棒性，增强了系统的可靠性。其输入电容和输出电容数值适中，有利于减少EMI干扰，并便于匹配驱动电路的阻抗特性。
　　此外，CW574的阈值电压范围合理（1.0V~2.5V），避免了因阈值过低导致的误触发问题，同时也保证了在低电压启动条件下的可靠开启。器件内部结构经过优化，降低了寄生参数的影响，提升了整体动态性能。由于采用SOT-23小尺寸封装，CW574非常适合用于智能手机、平板电脑、移动电源、LED驱动模块、USB充电器等对体积敏感的产品中。总体而言，CW574是一款兼顾性能、效率与集成度的理想选择，适用于多种中低压功率开关应用场合。

应用

CW574广泛应用于各类中低功率电子系统中，典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源开关与负载切换，如智能手机和平板电脑内的电池充放电管理电路，用于控制电池向主系统供电的通断；在DC-DC降压或升压转换器中作为同步整流开关使用，替代传统肖特基二极管以提高转换效率；在电机驱动电路中作为H桥结构的一部分，实现对小型直流电机或步进电机的方向与速度控制。
　　此外，该器件也常用于USB电源开关、热插拔控制器、LED背光驱动电路以及各种过流保护和电源多路复用设计中。由于其具备快速响应能力和低静态功耗，CW574在待机模式下也能维持高效的能源利用，因此在强调节能与续航时间的设备中尤为适用。工业领域中，它可用于传感器模块、PLC输入输出接口、继电器驱动电路等需要高可靠性和紧凑设计的场合。通信设备中的电源隔离与信号切换模块同样可以受益于其优良的开关特性。总之，凡是需要高效、小型化、低成本N沟道MOSFET解决方案的应用，CW574均是一个值得优先考虑的选项。