CW30NC120HD 是一款高性能的碳化硅(SiC)功率MOSFET,由常州华润华晶微电子有限公司生产。该器件采用了先进的碳化硅半导体技术,具有低导通电阻、高开关速度和卓越的热稳定性,适用于高功率、高频和高温工作环境。CW30NC120HD 采用TO-247封装,具备良好的散热性能,适用于各种高效率电力电子系统。
类型:碳化硅MOSFET
最大漏源电压(VDS):1200V
最大漏极电流(ID):30A
导通电阻(RDS(on)):120mΩ
栅极电压范围:-10V 至 +20V
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
CW30NC120HD碳化硅MOSFET具有多个显著的技术优势。首先,其导通电阻仅为120mΩ,在高电流条件下能够有效降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件的最大工作电压达到1200V,适用于高电压应用场景,如电动汽车充电系统、光伏逆变器和工业电源。此外,由于采用了碳化硅材料,CW30NC120HD具有优异的高频开关性能,减少了开关损耗并提高了系统的响应速度。该器件的栅极电压范围为-10V至+20V,确保了稳定的工作性能和良好的抗干扰能力。在热管理方面,CW30NC120HD支持高达175°C的工作温度,适应高温环境,提高了系统的可靠性和耐用性。TO-247封装形式不仅提供了良好的散热能力,还便于在各种PCB设计中安装和使用。
另一个重要特性是CW30NC120HD的短路耐受能力,使其在突发故障情况下仍能保持稳定运行,增强了系统的安全性。此外,该器件的寄生电容较小,进一步提升了开关速度并减少了高频应用中的电磁干扰(EMI)。这些特性使得CW30NC120HD成为高效率、高可靠性电力电子系统中的理想选择。
CW30NC120HD广泛应用于多个高功率领域。在电动汽车领域,该器件可用于车载充电器(OBC)和DC-DC转换器,以提高能量转换效率并减小系统体积。在可再生能源领域,CW30NC120HD适用于光伏逆变器和储能系统,帮助实现高效、稳定的能量转换。此外,该器件还可用于工业电源、不间断电源(UPS)以及高功率开关电源(SMPS)中,满足对高效率、高可靠性的需求。在电机驱动系统中,CW30NC120HD的高频开关能力能够减少滤波器尺寸并提升系统动态响应,适用于高性能变频器和伺服驱动器。
CREE C3M0120100J, STMicroelectronics SCTW30N120, Infineon IMZA120R120M1H