类型：高压多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：100 pF
　　电容公差：±10%
　　额定电压：1500 VDC
　　介质材料：C0G/NP0（温度稳定型）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0 ±30 ppm/°C
　　绝缘电阻：≥100 GΩ 或 R*C ≥ 1000 S（取较大者）
　　耐压能力：可承受短时过压达1.5倍额定电压
　　损耗因数（DF）：≤0.15%
　　等效串联电阻（ESR）：极低
　　等效串联电感（ESL）：极低
　　封装形式：轴向引线陶瓷封装
　　安装方式：通孔安装（THT）
　　尺寸：约 16.5 mm x 4.8 mm（长度 x 直径）
　　重量：约 0.5 g

CVQ150K10BL1的核心特性之一是其采用C0G（即NP0）类电介质材料，这种材料提供了极高的电容稳定性，几乎不受温度、电压和时间的影响。在-55°C到+125°C的整个工作温度范围内，电容值的变化不超过±30ppm/°C，这使得它非常适合用于高精度定时电路、滤波器和谐振电路中，其中电容值的微小漂移都可能导致系统性能下降。此外，C0G介质还具有非常低的介电损耗，损耗因数（DF）不超过0.15%，这意味着在高频或高功率操作下能量损失极小，有助于提高系统效率并减少发热。
　　另一个关键特性是其高达1500VDC的额定直流电压能力，使其能够安全地应用于高压电源系统、脉冲放电电路、X射线发生器、激光驱动器以及雷达系统等场合。该器件经过严格测试，可承受短时过压达额定电压的1.5倍，增强了系统的安全裕度。同时，其高绝缘电阻（≥100GΩ）确保了极低的漏电流，这对于高阻抗信号路径和精密测量设备至关重要。
　　机械与封装方面，CVQ150K10BL1采用全陶瓷-玻璃密封结构，引线通过玻璃-金属密封工艺连接到内部电极，提供了卓越的气密性，有效防止湿气、腐蚀性气体和其他环境污染物进入元件内部。这种密封结构显著提高了器件在恶劣环境下的长期可靠性，尤其是在高温高湿、振动或热循环频繁的条件下表现突出。此外，其轴向引线设计便于手工焊接和自动插装，适用于多种PCB布局需求。
　　该电容器还具备优异的抗热冲击性能，可在极端温度变化下保持结构完整性，不会因热胀冷缩导致开裂或失效。这一特性使其广泛应用于航空航天、国防电子、井下石油勘探设备等对可靠性要求极高的领域。总体而言，CVQ150K10BL1结合了高压能力、高精度、高稳定性和高可靠性，是一款专为严苛应用环境设计的高性能陶瓷电容器。

CVQ150K10BL1广泛应用于需要高电压耐受能力和电容稳定性的高端电子系统中。在医疗设备领域，它常用于X射线成像系统、CT扫描仪和体外除颤器中的高压脉冲电路，作为储能和滤波元件，确保高压脉冲的精确生成和传输。在工业应用中，该电容器被用于激光切割与焊接设备的脉冲功率模块，用于稳定谐振频率并吸收瞬态电压尖峰，提升激光输出的稳定性和寿命。
　　在航空航天与国防系统中，CVQ150K10BL1因其高可靠性和抗辐射能力，被集成于雷达发射机、电子战系统和导弹制导电路中，用于射频匹配网络、耦合与去耦电路以及高压直流链路滤波。其稳定的C0G特性确保了在宽温域和剧烈振动环境下信号通路的一致性。
　　此外，该器件也适用于高能物理实验装置、粒子加速器和光电倍增管电源系统中的高压偏置电路，提供低噪声、低漏电的电容支持。在石油和天然气勘探设备中，特别是在深井测井仪器中，CVQ150K10BL1能够在高温、高压和强振动环境中长期稳定工作，保障数据采集系统的正常运行。
　　在电力电子领域，该电容器可用于高压电源滤波、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）保护电路以及开关模式电源（SMPS）中的缓冲电路（snubber circuit），有效抑制电压过冲和电磁干扰（EMI）。由于其低ESR和低ESL特性，即使在高频开关条件下也能保持高效能表现。总之，CVQ150K10BL1适用于所有对电容稳定性、高压耐受性和长期可靠性有极高要求的应用场景。

HV200G101JCRH
　　HV200G101JCTR
　　CC05HL101K150AM