型号：CV110NPVG
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：110V
　　连续漏极电流ID：18A
　　脉冲漏极电流IDM：72A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：0.085Ω @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：0.11Ω @ VGS=4.5V
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容Ciss：1300pF @ VDS=25V
　　输出电容Coss：370pF @ VDS=25V
　　反向传输电容Crss：100pF @ VDS=25V
　　栅极电荷Qg：50nC @ VGS=10V
　　最大功耗PD：150W
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220AB

CV110NPVG具备优异的开关性能和导通特性，这主要得益于其低导通电阻RDS(on)设计。在VGS=10V条件下，其典型RDS(on)仅为85mΩ，而在VGS=4.5V时仍可保持在110mΩ以下，这意味着即使在较低的驱动电压下也能实现高效的能量传输，减少功率损耗并降低温升。这对于高效率电源系统如同步整流DC-DC变换器尤为重要。此外，低RDS(on)有助于减小整体系统的热设计复杂度，允许使用更小尺寸的散热器或自然冷却方案，从而节省空间和成本。
　　该器件具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达18A，脉冲电流支持高达72A，使其能够应对瞬态负载变化和短时过载情况，增强了系统鲁棒性。结合110V的漏源击穿电压，CV110NPVG适用于中压功率应用，例如12V至48V总线系统的开关控制。其阈值电压范围为2.0V至4.0V，确保了与常见逻辑电平（如5V或3.3V驱动信号）的良好兼容性，便于直接由微控制器或专用驱动IC进行控制。
　　高频工作能力是另一重要优势。得益于较小的输入和输出电容（Ciss=1300pF, Coss=370pF）以及合理的反向传输电容（Crss=100pF），CV110NPVG在高频开关环境下表现出较低的开关损耗和较快的上升/下降时间，有利于提升电源转换效率。配合50nC的栅极电荷（Qg），可在保证快速开关的同时避免过高的驱动功率需求。
　　热稳定性方面，该器件的最大功耗达150W，结温范围从-55°C到+150°C，表明其可在严苛环境温度下可靠运行。TO-220AB封装提供了良好的热传导路径，进一步增强了散热能力。综合来看，CV110NPVG在性能、可靠性与实用性之间实现了良好平衡，是一款适用于多种中等功率场景的理想选择。

CV110NPVG广泛应用于各类需要高效开关控制的电力电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是在AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关或同步整流器使用，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升转换效率并降低发热。在电机驱动电路中，该MOSFET可用于H桥或半桥拓扑结构，控制直流电机或步进电机的启停与方向切换，其高电流承载能力和耐压特性保障了驱动系统的稳定性与响应速度。
　　此外，CV110NPVG也常用于逆变器设计，如太阳能逆变器或UPS不间断电源系统中的DC-AC转换环节，承担能量传递和波形调制任务。在这些应用中，器件需频繁进行高速开关操作，而CV110NPVG的低开关损耗和良好热管理能力使其成为理想候选。
　　工业自动化设备中的电源模块、LED驱动电源、电池管理系统（BMS）以及各类过流保护电路也是其常见应用领域。例如，在电池充放电控制中，该MOSFET可用作通断开关，防止反向电流或实现负载隔离。由于其封装形式为标准TO-220AB，易于安装于PCB并通过散热片连接到外壳或大型金属结构上，因此特别适合需要手动焊接或维修替换的设计。
　　在家用电器如空调、洗衣机、电磁炉等产品的功率控制单元中，CV110NPVG同样发挥着重要作用。总体而言，只要涉及中压、中大电流的开关控制需求，CV110NPVG都能提供稳定可靠的解决方案。

IRF110NPBF
　　STP18NF110
　　FQP11N10