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CUS10S30,H3F 发布时间 时间:2025/6/4 11:18:11 查看 阅读:7

CUS10S30是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特性,能够有效提升系统的效率和可靠性。
  H3F则是一个系列的封装形式,通常用于大功率器件以提供更好的散热性能和电气连接能力。

参数

型号:CUS10S30
  封装:H3F
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ
  功耗(Ptot):75W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

CUS10S30采用了先进的生产工艺,具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻(4mΩ),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关特性,适合高频应用场合。
  3. 强大的抗雪崩能力和短路耐受时间,确保在异常情况下依然可靠工作。
  4. 符合RoHS标准,绿色环保。
  5. H3F封装设计提供了出色的散热性能和机械稳定性。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 各类工业和消费电子设备中的负载切换和保护功能。

替代型号

IRF3205, AO3400

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CUS10S30,H3F参数

  • 现有数量247,733现货
  • 价格1 : ¥2.78000剪切带(CT)3,000 : ¥0.52406卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)30 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)230 mV @ 100 mA
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏500 μA @ 30 V
  • 不同?Vr、F 时电容135pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-76,SOD-323
  • 供应商器件封装USC
  • 工作温度 - 结125°C(最大)