型号：CUS100M-24
　　类型：功率MOSFET模块
　　漏源电压（Vds）：100V
　　漏极电流（Id）：24A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值15mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：双列直插式（DIP）
　　引脚数：7
　　技术：N沟道增强型
　　栅极电荷（Qg）：典型值120nC
　　功耗（Ptot）：300W

CUS100M-24 功率MOSFET模块具备多项优异特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，模块采用先进的封装技术，提供良好的热管理和散热性能，确保在高负载条件下稳定运行。
　　该模块具备快速开关能力，栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高响应速度，适用于高频开关应用。此外，其宽广的工作温度范围使其能够在恶劣环境条件下可靠工作。
　　在安全性和可靠性方面，CUS100M-24 具有良好的短路耐受能力和过温保护特性，适用于工业级应用。其封装设计兼容标准PCB安装流程，便于集成至各种电源系统中。

CUS100M-24 主要应用于各类高功率电子系统，包括但不限于：工业电源、DC-DC转换器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、焊接设备、电动车辆电源管理系统等。
　　由于其出色的性能和可靠性，CUS100M-24 特别适用于需要高效率、高稳定性和紧凑设计的电源转换系统，例如在自动化控制设备中用于电机驱动和负载开关控制，或在新能源系统中作为主功率开关使用。

IXFK100N10T、IRFP4668、SiR872DP、IXTH100N10L2BFPK