型号：CU13N
　　制造商：Nexperia
　　晶体管类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 (VDS)：30 V
　　最大连续漏极电流 (ID) @ 25°C：9.4 A
　　最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
　　最大栅源电压 (VGS)：±20 V
　　导通电阻 RDS(on) @ VGS = 10 V：8.5 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V：12.5 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) @ VGS = 2.5 V：18 mΩ
　　阈值电压 (VGS(th)) 典型值：1.4 V
　　栅极电荷 (Qg) 典型值：8.5 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容 (Ciss) 典型值：470 pF
　　输出电容 (Coss) 典型值：140 pF
　　反向恢复时间 (trr) 典型值：15 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT457 (TSOP6)
　　安装类型：表面贴装 (SMD)

CU13N 采用 Nexperia 先进的 TrenchFET 技术，具备出色的电气性能和可靠性。其低导通电阻 RDS(on) 在不同栅极驱动电压下均表现优异，尤其是在 VGS = 4.5V 和 VGS = 2.5V 条件下的低阻值，使其非常适合低压逻辑驱动的应用场景，如电池供电系统或由微控制器直接驱动的开关电路。这种低 RDS(on) 特性显著减少了导通损耗，提升了整体能效。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这有助于降低开关过程中的驱动功率消耗，并实现更快的开关速度，从而减少开关损耗，特别适用于高频 DC-DC 转换器、同步整流器等需要高效能量转换的场合。同时，其较小的输入和输出电容也有助于提高系统的响应速度并减少电磁干扰（EMI）。
　　CU13N 还具备良好的热稳定性与高雪崩耐受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供更高的安全裕度。其坚固的结构设计确保了在恶劣环境下的长期可靠运行，尤其适合汽车电子和工业控制领域。
　　SOT457 小型封装不仅节省 PCB 空间，还通过优化的引脚布局改善了散热性能，支持高密度组装。此外，该器件符合 RoHS 和 REACH 环保标准，并通过 AEC-Q101 认证，适用于严苛的汽车应用环境。总体而言，CU13N 凭借其高性能、小体积和高可靠性，成为现代高效能电子系统中理想的功率开关元件。

CU13N 广泛应用于多种高性能电子系统中，尤其适合对效率和空间有严格要求的设计。常见应用包括便携式消费类电子产品中的电源管理单元，例如智能手机和平板电脑中的电池充电与放电控制、负载开关和电源路径管理。在这些设备中，CU13N 可作为高侧或低侧开关，用于启用/禁用特定功能模块以节省电力。
　　在 DC-DC 转换器中，特别是同步降压变换器中，CU13N 常被用作同步整流管，利用其低 RDS(on) 和快速开关特性来提升转换效率，减少发热。它也可用于电机驱动电路，如微型直流电机或步进电机的 H 桥驱动，提供高效的电流控制能力。
　　在汽车电子领域，CU13N 可用于车身控制模块、LED 照明驱动、车载信息娱乐系统电源管理以及传感器供电开关等应用场景。由于其通过 AEC-Q101 认证，具备良好的温度稳定性和抗扰能力，因此能在高温和振动环境下稳定工作。
　　此外，该器件还可用于工业自动化设备、物联网终端节点、无线耳机充电盒、USB PD 功率开关以及各类嵌入式控制系统中，作为高效的功率开关或电平转换元件。其多功能性和高可靠性使其成为现代电子设计中不可或缺的关键组件。

BSS138N, PMV16XNR, FDN360P, SI2302DS