时间：2025/4/28 16:34:52
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CTW201(SL)(T1) 是一款高性能的功率MOSFET晶体管，主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件采用TO-252封装形式，具备低导通电阻和高效率的特点，能够有效降低能耗并提高系统性能。
这款MOSFET具有出色的开关特性和热稳定性，能够在高频应用中提供可靠的性能表现。其N沟道设计使其非常适合于各种需要高效开关和负载驱动的应用场合。
型号：CTW201(SL)(T1)
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-252(DPAK)
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：9.4A
导通电阻(RDS(on))：30mΩ (典型值，在VGS=10V时)
栅极电荷(Qg)：28nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻(RDS(on))，有助于减少导通损耗，提升效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下也能可靠运行。
4. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
5. 具备良好的热稳定性和耐用性，适用于恶劣的工作条件。
6. 小型化封装，便于PCB布局和散热管理。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整DC转换器的高效开关元件。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
6. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
IRF540N
FQP17N06
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