类型：单向TVS二极管
　　封装形式：SOD-123
　　反向工作电压（VRWM）：1.3V
　　击穿电压（VBR）：典型值1.45V，最大值1.6V
　　钳位电压（VC）：最大值3.5V（在IPP条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：最高可达17A（根据测试条件）
　　峰值脉冲功率（PPEAK）：600W（8/20μs电流波形）
　　漏电流（IR）：最大10μA（在VRWM下）
　　响应时间：小于1ps（理论响应速度极快，受限于寄生参数）
　　极性：单极性
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

CTV222SV1.3具备卓越的瞬态电压抑制能力，能够在极低的反向截止电压下提供有效的过压保护，特别适用于低电压逻辑电路和超低压供电系统的防护需求。其反向工作电压仅为1.3V，意味着它可以用于1.2V或1.8V等现代低功耗数字系统的信号线保护，例如I2C、SPI、USB数据线以及移动设备中的基带处理器接口。由于其击穿电压较低且钳位性能良好，在遭遇静电放电时能迅速将电压限制在安全范围内，避免敏感CMOS结构被击穿损坏。
　　该器件采用SOD-123小型表面贴装封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并支持自动化贴片工艺，有助于提升生产效率和产品一致性。热性能方面，尽管封装尺寸较小，但通过优化内部芯片与引线设计，实现了高达600W的峰值脉冲功率承受能力（基于标准8/20μs浪涌测试波形），确保在严酷电磁环境下仍能可靠动作。
　　此外，CTV222SV1.3具有极低的漏电流（最大10μA），在正常工作状态下对原电路影响极小，不会引起额外功耗或信号失真。其响应时间理论上可达到皮秒级别，远快于传统的过压保护器件如压敏电阻或气体放电管，因此能够有效应对高速瞬变事件，如人体模型静电放电（HBM ESD）或多层板间的串扰感应尖峰。
　　该TVS二极管还具备良好的温度稳定性，可在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适应从消费类电子产品到工业级应用的各种环境条件。同时，器件符合RoHS环保要求，无铅且绿色环保，适用于全球市场的合规性设计。

CTV222SV1.3主要应用于需要对低电压信号线路进行瞬态保护的场合。常见用途包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中的高速数据接口保护，如I2C总线、按键输入线、传感器连接线等。此外，它也适用于电池供电系统中电源轨的过压防护，尤其是在使用锂电池供电且系统工作电压接近2V以下的应用中表现优异。
　　在通信领域，该器件可用于RS-232、UART、GPIO等低速信号线的ESD保护，防止外部插拔或环境干扰引发的电压突波损坏主控芯片。其快速响应和低钳位电压特性使其成为USB OTG接口、SIM卡槽、TF卡接口等易受人为接触影响部位的理想选择。
　　工业控制系统中的一些低电压传感器输出端也可采用CTV222SV1.3进行保护，以提高系统的抗干扰能力和长期可靠性。此外，在汽车电子中的某些非动力域低压信号采集模块中，也可考虑使用此类低电压TVS进行辅助保护，尤其是在12V系统中存在局部1.8V或3.3V逻辑单元的情况下。
　　由于其封装紧凑且性能稳定，CTV222SV1.3还广泛用于医疗电子设备、物联网终端节点以及智能家居控制器中，作为关键信号路径上的最后一道防线，防止意外静电损伤导致设备失效或维修成本上升。