时间：2025/12/23 19:10:23
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CTAN143V3-G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该芯片采用先进的沟槽式技术制造，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够在高频开关应用中提供卓越的效率和可靠性。
其封装形式为 TO-220，便于散热设计，同时支持表面贴装和通孔安装，适用于多种工业及消费类电子设备。
型号：CTAN143V3-G
类型：N-Channel MOSFET
漏源极击穿电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：50A
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.1V~4.0V
导通电阻(Rds(on))：3mΩ（典型值，Vgs=10V）
功耗(PD)：175W
工作温度范围(Tj)：-55℃~175℃
封装形式：TO-220
CTAN143V3-G 的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度。低 Rds(on) 使其在大电流应用中减少功率损耗，提高整体效率。
此外，该芯片具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好的性能表现。同时，其沟槽式结构优化了电荷分布，进一步提升了开关特性和抗干扰能力。
CTAN143V3-G 还集成了内置保护功能，如过流保护和热关断功能，有效防止因异常工况导致的器件损坏，延长使用寿命。
该芯片适合高频开关应用场景，能够满足严格的 EMC 和 EMI 标准要求，确保系统运行更加稳定可靠。
CTAN143V3-G 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源 (SMPS)，用于提升转换效率和降低热损耗。
2. 工业电机驱动，支持高效控制和精准调速。
3. 电动汽车充电桩，提供稳定可靠的直流转换功能。
4. 太阳能逆变器，实现高效的能量传输与转换。
5. 各类 DC-DC 转换器，适配不同电压需求的电子设备。
6. LED 驱动电路，确保恒定电流输出以保护 LED 光源。
凭借其强大的性能和可靠性，CTAN143V3-G 成为众多高功率密度应用的理想选择。
IRFZ44N
STP50NF06
FDP5500
IXFN50N06P
