时间:2025/12/28 4:17:47
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CT60AM18是一款由Central Semiconductor Corp生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,采用双共阴极配置。该器件专为高频开关应用设计,具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点,能够有效提升电源转换效率并减少功率损耗。CT60AM18封装于SMA(DO-214AC)小型表面贴装封装中,适合在空间受限的高密度PCB布局中使用。该二极管广泛应用于DC-DC转换器、逆变器、续流二极管、极性保护电路以及高频整流场合。其结构采用两个独立的肖特基二极管共用阴极连接方式,适用于需要同步整流或双通道整流功能的电源系统。器件符合RoHS环保要求,并具备良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的环境温度范围内稳定工作。
类型:肖特基势垒二极管阵列
配置:双共阴极
最大重复反向电压(VRRM):60V
最大平均正向整流电流(IO):1A
峰值正向浪涌电流(IFSM):30A(8.3ms半正弦波)
最大正向电压降(VF):0.53V @ 1A(每条支路)
最大反向漏电流(IR):0.2mA @ 60V,25°C
反向恢复时间(trr):典型值 < 5ns
工作结温范围(TJ):-65°C 至 +125°C
存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
封装类型:SMA(DO-214AC)
安装类型:表面贴装(SMD)
CT60AM18的核心特性之一是其采用肖特基势垒技术,这使得它相较于传统的PN结二极管具有更低的正向导通压降。在1A电流下,其最大正向压降仅为0.53V,显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体电源系统的能效。这一优势在低压大电流输出的DC-DC转换器中尤为关键,有助于减少发热并提升转换效率。此外,由于肖特基二极管属于多数载流子器件,不存在少子存储效应,因此具备极快的开关速度,反向恢复时间典型值小于5纳秒。这一特性使其非常适合用于高频开关电源、PWM控制电路以及需要快速响应的整流应用中,能够有效抑制电压尖峰和电磁干扰(EMI),从而提升系统稳定性。
另一个重要特性是其双共阴极结构设计。这种配置允许两个肖特基二极管共享同一个阴极端子,常用于同步整流拓扑或双路输出电源中,简化了PCB布线并减少了外部元件数量。每个二极管可承受1A的平均正向整流电流,在并联使用时总电流可达2A(需注意散热条件)。器件采用SMA封装,尺寸紧凑,典型外形尺寸约为4.5mm x 2.7mm x 2.2mm,适用于自动化贴片生产流程,提升了制造效率和产品一致性。同时,该封装具备良好的热传导性能,可通过PCB焊盘进行有效散热,延长器件寿命。
CT60AM18还具备出色的热稳定性和环境适应能力,可在-65°C至+125°C的结温范围内正常工作,适用于工业控制、汽车电子和通信设备等严苛环境。其最大重复反向电压为60V,适合用于12V、24V或48V系统中的整流与保护。此外,器件通过了JEDEC标准的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、温度循环(TC)和湿热试验(HAST),确保长期运行的稳定性。所有材料均符合RoHS指令要求,不含铅、镉等有害物质,支持绿色环保制造。
CT60AM18广泛应用于各类需要高效、高频整流的电子系统中。常见应用场景包括开关模式电源(SMPS)中的次级整流二极管,特别是在反激式、正激式和LLC谐振转换器中作为输出整流器件,利用其低VF和快速trr特性提高效率并降低温升。在DC-DC降压或升压转换器中,它可用作续流二极管(Freewheeling Diode),防止电感反电动势损坏主开关管,同时减少能量损耗。由于其双共阴极结构,特别适合用于双路输出或多相整流电路中,例如服务器电源、嵌入式系统电源模块和FPGA供电系统。
此外,该器件也适用于逆变器电路中的防倒灌二极管,防止电流回流造成主控电路损坏。在太阳能充电控制器、LED驱动电源和便携式消费电子产品中,CT60AM18凭借其小体积和高效率优势,成为理想的整流与保护元件。在汽车电子领域,可用于车载充电器、DC-DC变换器和电池管理系统中的电压钳位与极性反接保护。其快速响应能力还能有效抑制瞬态电压冲击,提升系统抗干扰能力。工业自动化设备中的PLC模块、传感器供电单元以及通信基站电源模块也常采用此类高性能肖特基二极管以确保长期可靠运行。