时间：2025/4/28 13:06:40
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CT4N35(S)(T1) 是一种 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力，适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
CT4N35(S)(T1) 的封装形式通常为 TO-220，能够提供出色的散热性能，并且具备较高的电流处理能力。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：8A
导通电阻：1.2Ω
栅极电荷：30nC
总功耗：115W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
CT4N35(S)(T1) 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：额定漏源电压高达 600V，适用于高压应用环境。
2. 低导通电阻：在特定工作条件下，其导通电阻仅为 1.2Ω，从而降低了导通损耗。
3. 快速开关速度：由于其较低的栅极电荷（30nC），可以实现快速开关，减少开关损耗。
4. 高可靠性：能够在宽温范围内稳定工作，适应各种恶劣环境。
5. 热稳定性好：采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，可承受较高功耗。
CT4N35(S)(T1) 主要用于以下领域：
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 电机驱动电路中作为功率开关或保护元件。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 各种工业设备中的功率控制模块。
5. LED 照明驱动电路中的功率级元件。
IRFZ44N, STP16NF06L, FQP16N60
