时间：2025/5/29 10:45:39
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CT3064(S)(T1)是一种由华虹半导体生产的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的耐热性能，广泛应用于各种需要高效能和高可靠性的电路中。其封装形式为TO-252，适合表面贴装技术（SMT），能够显著提高产品的集成度和可靠性。
该型号的MOSFET适用于电源管理、电机驱动、负载切换等场景，是工业控制、消费电子和通信设备中的重要元件。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：8A
导通电阻：55mΩ
功耗：75W
工作温度范围：-55℃至+150℃
CT3064(S)(T1)的主要特性包括：
1. 低导通电阻（Rds(on)）设计，减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用。
3. 内置反向二极管，有效保护电路免受反向电流冲击。
4. 出色的热稳定性，能够在极端温度条件下正常运行。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
6. 封装紧凑，易于安装和维护，非常适合现代高密度电路设计。
该MOSFET适用于多种应用场景，例如：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换和调节。
2. 直流/直流转换器中的同步整流功能。
3. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
4. 电机驱动器中的功率输出级控制。
5. 各种负载切换和保护电路。
6. 工业自动化设备中的信号放大和隔离。
IRFZ44N
FDP5570
STP8NK60Z
