CT1019(V)(T1) 时间：2025/9/6 13:35:33 阅读：17

CT1019(V)(T1) 是一款由 Comchip Technology（全 chips 科技）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等领域。CT1019(V)(T1) 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻和高电流承载能力，同时在封装上采用 SOT-23 或 SOT-323 等小型化表面贴装封装形式，便于 PCB 布局和散热管理。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：5.6A（在 25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（最大值，典型值 21mΩ）
　　功耗（Pd）：1.5W
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃
　　封装形式：SOT-23 或 SOT-323（具体取决于后缀标识）

特性

CT1019(V)(T1) MOSFET 具备多项优异的电气和物理特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)），这使得在导通状态下功率损耗大大降低，从而提高系统效率。该器件的导通电阻在不同栅极电压下表现出良好的稳定性，确保在各种驱动条件下都能维持较低的损耗。
　　其次是其高电流承载能力，尽管采用小型封装，但其内部结构优化使得在 25℃ 下连续漏极电流可达 5.6A，适用于高密度电源设计。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高高频应用中的性能表现。
　　CT1019(V)(T1) 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其封装设计优化了热阻，使得热量能够有效地从芯片传导到 PCB 上，从而提升整体系统的可靠性。
　　另外，该 MOSFET 支持快速开关操作，具备较低的开关延迟时间和上升/下降时间，适用于高频开关电源、同步整流等应用场合。其栅极驱动电压范围宽广，可在较低电压下实现良好的导通性能，适用于多种驱动电路设计。

应用

CT1019(V)(T1) 主要应用于便携式电子设备、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统、LED 驱动电路、电源管理模块等。由于其低导通电阻和高效率特性，特别适合用于要求高能效和紧凑设计的电源系统。
　　在移动设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，CT1019(V)(T1) 可作为负载开关或 DC-DC 降压转换器中的同步整流器，提高系统效率并延长电池寿命。
　　在工业控制系统中，该器件可用于驱动小型电机、继电器或 LED 照明系统，其高频响应能力也使其适用于 PWM 控制电路。
　　此外，CT1019(V)(T1) 也广泛用于电源适配器、USB PD 快充模块、电池充电管理电路等应用场景，其小型封装和高可靠性使其成为设计工程师的优选器件。