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CT1019(V)(T1) 发布时间 时间:2025/9/6 13:35:33 查看 阅读:7

CT1019(V)(T1) 是一款由 Comchip Technology(全 chips 科技)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用,适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等领域。CT1019(V)(T1) 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻和高电流承载能力,同时在封装上采用 SOT-23 或 SOT-323 等小型化表面贴装封装形式,便于 PCB 布局和散热管理。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):5.6A(在 25℃)
  导通电阻(Rds(on)):28mΩ(最大值,典型值 21mΩ)
  功耗(Pd):1.5W
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃
  封装形式:SOT-23 或 SOT-323(具体取决于后缀标识)

特性

CT1019(V)(T1) MOSFET 具备多项优异的电气和物理特性,首先是其低导通电阻(Rds(on)),这使得在导通状态下功率损耗大大降低,从而提高系统效率。该器件的导通电阻在不同栅极电压下表现出良好的稳定性,确保在各种驱动条件下都能维持较低的损耗。
  其次是其高电流承载能力,尽管采用小型封装,但其内部结构优化使得在 25℃ 下连续漏极电流可达 5.6A,适用于高密度电源设计。此外,该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高高频应用中的性能表现。
  CT1019(V)(T1) 还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。其封装设计优化了热阻,使得热量能够有效地从芯片传导到 PCB 上,从而提升整体系统的可靠性。
  另外,该 MOSFET 支持快速开关操作,具备较低的开关延迟时间和上升/下降时间,适用于高频开关电源、同步整流等应用场合。其栅极驱动电压范围宽广,可在较低电压下实现良好的导通性能,适用于多种驱动电路设计。

应用

CT1019(V)(T1) 主要应用于便携式电子设备、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统、LED 驱动电路、电源管理模块等。由于其低导通电阻和高效率特性,特别适合用于要求高能效和紧凑设计的电源系统。
  在移动设备中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,CT1019(V)(T1) 可作为负载开关或 DC-DC 降压转换器中的同步整流器,提高系统效率并延长电池寿命。
  在工业控制系统中,该器件可用于驱动小型电机、继电器或 LED 照明系统,其高频响应能力也使其适用于 PWM 控制电路。
  此外,CT1019(V)(T1) 也广泛用于电源适配器、USB PD 快充模块、电池充电管理电路等应用场景,其小型封装和高可靠性使其成为设计工程师的优选器件。

替代型号

Si2302DS、AO3400A、IRLML6401、FDN340P、FDS6679、CT1013(V)(T1)

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