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CSTCR7M37G55B-R0 发布时间 时间:2025/4/30 11:07:29 查看 阅读:25

CSTCR7M37G55B-R0 是一款基于陶瓷材料的多层片式电容器(MLCC),适用于高频电路和射频应用。该型号属于高Q值、低ESR特性系列,主要应用于滤波器、振荡器以及信号调理电路中,能够提供优异的频率稳定性和较低的插入损耗。

参数

容量:37pF
  额定电压:50V
  容差:±0.2pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
  封装形式:0402英寸
  介质材料:C0G/NP0
  Q值:大于1000(1GHz条件下)
  直流偏置特性:无显著容量下降
  ESR:小于1mΩ

特性

CSTCR7M37G55B-R0 的核心特点在于其采用C0G(NP0)级介质材料,这种材料具备极高的稳定性,在温度变化、电压波动以及时间推移的情况下,电容量几乎不会发生变化。
  此外,这款电容器具有超低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),非常适合用于高频和射频电路设计。其小型化封装和稳定的电气性能使其成为精密通信设备、无线模块以及雷达系统中的理想选择。

应用

该型号广泛应用于需要高稳定性和低损耗特性的场景,包括但不限于:
  1. 射频滤波器设计,用于抑制不需要的信号频率。
  2. 高频振荡器电路,确保频率输出的精确性。
  3. 数据传输链路中的信号调理,优化信噪比。
  4. 医疗成像设备中的高频信号处理部分。
  5. 航空航天领域中的抗干扰电路设计。

替代型号

CSTCR7M37G55B-T0
  CSTCR6M37G55B-R0
  GRM152C80J370JA01D

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CSTCR7M37G55B-R0参数

  • 制造商Murata
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量3000