时间：2025/12/23 19:09:51
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CST1250F-R36M是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频、高效率应用而设计。该器件采用增强型场效应晶体管（e-mode FET）结构，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合于开关电源、DC-DC转换器、无线充电模块以及电机驱动等应用领域。
此型号由专业半导体制造商推出，其封装形式优化了散热性能，并且通过先进的制造工艺实现了高可靠性和一致性。
最大漏源电压：1250V
连续漏极电流：36A
导通电阻：1.2m85nC
输入电容：1200pF
反向恢复时间：45ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
CST1250F-R36M采用了先进的氮化镓材料，具备卓越的电气性能和热性能。其主要特性包括：
1. 高耐压能力，适合高压环境下的运行需求。
2. 极低的导通电阻，有效降低传导损耗。
3. 快速开关速度，减少开关损耗并提升整体效率。
4. 优秀的热稳定性，在高温条件下仍能保持良好的性能。
5. 紧凑型封装设计，便于集成到各种系统中。
此外，该产品还通过了严格的可靠性测试，确保在长时间使用中的稳定表现。
这款功率晶体管适用于多种工业和消费电子领域，例如：
- 开关模式电源（SMPS）
- 高效DC-DC转换器
- 新能源汽车中的逆变器和OBC（车载充电器）
- 太阳能微逆变器
- 工业电机驱动与控制
- 快速充电适配器
- 无线电力传输系统
由于其出色的性能指标，CST1250F-R36M成为许多高性能电源解决方案的理想选择。
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