CST1050F-6R8M 是一款陶瓷电容器,属于 C 型电介质材料的多层陶瓷电容器 (MLCC),主要用于高频应用。该型号具有较小的封装尺寸和较低的等效串联电阻 (ESR),适用于滤波、耦合和旁路等功能。其高频率特性和稳定性使其在通信设备、消费电子以及工业控制领域中得到了广泛应用。
电容值:6.8nF
额定电压:50V
公差:±20%
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装类型:0402英寸
介质类型:C0G/NP0
直流偏压特性:低
等效串联电阻(ESR):极低
CST1050F-6R8M 使用 C0G(NP0)类电介质,这种材料具有优异的温度稳定性和低损耗特性,在整个温度范围内电容变化小于 ±30ppm/℃。此外,这款电容器还具备出色的频率响应性能,能够在高频条件下保持稳定的电容值。
由于采用了多层陶瓷技术,此元件拥有非常小的外形尺寸,同时提供较高的机械强度和可靠性。它的低 ESR 和 ESL 特性使其非常适合用作射频电路中的去耦电容或匹配网络组件。
CST1050F-6R8M 广泛应用于需要高性能和高可靠性的场景中,例如无线通信模块、蓝牙设备、Wi-Fi 路由器以及其他高频电子系统中的信号处理部分。它可以作为电源线上的噪声抑制器或者 RF 输入/输出端口的阻抗匹配元件。
另外,在音频放大器设计中,它也可以用来消除高频干扰并改善音质表现;在数据转换器 ADC/DAC 的供电轨上使用时,则有助于减少纹波电压对测量精度的影响。
CST1049F-6R8M
C0G105-6R8N
Kemet C0G 6.8nF 50V 0402