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CST1050F-151M 发布时间 时间:2025/6/30 16:15:00 查看 阅读:5

CST1050F-151M 是一款高性能的贴片式陶瓷电容器,采用多层陶瓷技术(MLCC)制造。该元件具有高稳定性和低等效串联电阻(ESR),非常适合用于高频滤波、电源去耦和信号耦合等应用。其小尺寸设计使其成为现代电子设备中空间受限场景的理想选择。
  该型号属于X7R介质类型,具备良好的温度稳定性和容量变化特性,在-55°C至+125°C的工作温度范围内,容量变化不超过±15%。

参数

容量:1.0μF
  额定电压:50V
  封装:1210 (3225公制)
  公差:±10%
  工作温度范围:-55°C ~ +125°C
  介质材料:X7R
  DC偏置特性:随直流电压增加容量略有降低
  等效串联电阻(ESR):非常低
  等效串联电感(ESL):非常低

特性

CST1050F-151M 的主要特点是高可靠性和稳定性。它使用X7R介质材料,能够在较宽的温度范围内保持稳定的电容值。同时,这款电容器的自谐振频率较高,适合高频电路中的噪声抑制和滤波功能。
  此外,该型号采用了先进的多层陶瓷工艺,保证了较小体积下的大容量存储能力。它的低ESR和低ESL特性使得其在快速瞬态响应场景下表现优异,例如为高速数字IC提供稳定的电源去耦。
  由于其高耐压能力和稳定的电气性能,CST1050F-151M 能够广泛应用于工业控制、通信设备、消费类电子产品以及汽车电子领域。

应用

该电容器适用于多种高频和高可靠性要求的应用场景:
  1. 电源滤波:去除开关电源中的高频噪声,确保系统稳定性。
  2. 去耦:为微处理器、FPGA和其他数字芯片提供局部储能,减少电源波动对敏感电路的影响。
  3. 高频信号处理:在射频电路中用作阻抗匹配或耦合电容。
  4. 汽车电子:如车载信息娱乐系统、传感器接口等需要高温适应性的场合。
  5. 工业自动化:为可编程逻辑控制器(PLC)、变频器等设备中的关键模块提供可靠的滤波支持。

替代型号

C0G系列同容量同电压产品, 或者其他品牌如Murata GRM32、TDK C4532X7R1E105M

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