时间：2025/5/28 21:25:01
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CST1040F-R15M 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装。这款器件广泛应用于需要高效能开关操作的场景中，例如电源适配器、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。其低导通电阻特性有助于降低功耗并提升整体效率。
型号：CST1040F-R1>VDS（漏源电压）：40V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：15mΩ
IDS（持续漏极电流）：36A
VGS(th)（阈值电压）：2.5V
f(switching)（最大工作频率）：5MHz
Qg（总栅极电荷）：8nC
BVDSS（漏源击穿电压）：40V
Tj（结温范围）：-55℃ to 175℃
CST1040F-R15M 的主要特点是其低导通电阻 (RDS(on)) 和高电流处理能力，能够显著减少功率损耗，适用于高频开关应用。此外，该器件具有较低的栅极电荷 (Qg)，这使得其驱动更加简单且高效。
它还具备出色的热性能和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。由于采用了先进的制造工艺，CST1040F-R15M 提供了卓越的电气特性和机械稳定性，确保在各种严苛环境下的可靠表现。
CST1040F-R15M 广泛应用于以下领域：
- 开关电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电池管理系统 (BMS)
- 电机驱动和控制
- 工业自动化设备
- 消费类电子产品中的负载开关
- 充电器及适配器设计
其低导通电阻和快速开关速度使其非常适合于高效能转换应用。
CST1040F-R20M
CST1040F-R25M
IRLZ44N
