时间：2025/6/30 16:11:03
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CST1030F-100M 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频、高效能功率转换应用。该器件采用先进的封装技术，具备出色的开关性能和低导通电阻特性。
其设计旨在满足高效率电源转换需求，例如服务器电源、通信设备、工业电源等场景中的 DC-DC 转换器及 PFC（功率因数校正）电路。
型号：CST1030F-100M
类型：GaN HEMT
最大漏源电压(VDS)：100V
最大栅源电压(VGS)：+6V/-8V
导通电阻(RDS(on))：30mΩ
连续漏极电流(ID)：10A
总栅极电荷(Qg)：50nC
反向恢复时间(trr)：20ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
CST1030F-100M 具备以下主要特点：
1. 高效开关性能：得益于 GaN 材料的高电子迁移率，该器件能够实现更快的开关速度，从而降低开关损耗并提高整体系统效率。
2. 低导通电阻：仅 30mΩ 的 RDS(on) 显著减少了传导损耗，使器件在大电流应用中表现出色。
3. 紧凑封装：采用小型化封装设计，节省 PCB 布局空间，同时提供卓越的散热性能。
4. 强大的可靠性：通过严格的测试与验证流程，确保在恶劣环境下的长期稳定运行。
5. 广泛的工作温度范围：支持从 -55°C 到 +150°C 的操作条件，适应多种应用场景。
这款 GaN HEMT 器件广泛应用于需要高性能功率转换的领域，包括但不限于：
1. 数据中心服务器电源模块。
2. 电信基站中的 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
3. 工业级 UPS（不间断电源）系统。
4. 消费类快充适配器。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品。
CST1030F-100M 凭借其高效的功率处理能力和紧凑的设计，成为这些应用的理想选择。
CST1030F-80M, CST1050F-100M
