CST1030F-100M 是一款基于 GaN(氮化镓)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),适用于高频、高效能功率转换应用。该器件采用先进的封装技术,具备出色的开关性能和低导通电阻特性。
其设计旨在满足高效率电源转换需求,例如服务器电源、通信设备、工业电源等场景中的 DC-DC 转换器及 PFC(功率因数校正)电路。
型号:CST1030F-100M
类型:GaN HEMT
最大漏源电压(VDS):100V
最大栅源电压(VGS):+6V/-8V
导通电阻(RDS(on)):30mΩ
连续漏极电流(ID):10A
总栅极电荷(Qg):50nC
反向恢复时间(trr):20ns
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
CST1030F-100M 具备以下主要特点:
1. 高效开关性能:得益于 GaN 材料的高电子迁移率,该器件能够实现更快的开关速度,从而降低开关损耗并提高整体系统效率。
2. 低导通电阻:仅 30mΩ 的 RDS(on) 显著减少了传导损耗,使器件在大电流应用中表现出色。
3. 紧凑封装:采用小型化封装设计,节省 PCB 布局空间,同时提供卓越的散热性能。
4. 强大的可靠性:通过严格的测试与验证流程,确保在恶劣环境下的长期稳定运行。
5. 广泛的工作温度范围:支持从 -55°C 到 +150°C 的操作条件,适应多种应用场景。
这款 GaN HEMT 器件广泛应用于需要高性能功率转换的领域,包括但不限于:
1. 数据中心服务器电源模块。
2. 电信基站中的 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
3. 工业级 UPS(不间断电源)系统。
4. 消费类快充适配器。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品。
CST1030F-100M 凭借其高效的功率处理能力和紧凑的设计,成为这些应用的理想选择。
CST1030F-80M, CST1050F-100M