时间：2025/6/30 16:10:15
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CST0850F-R82M 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率、高频功率晶体管，专为射频和微波应用设计。该器件采用0.25μm增强型GaN HEMT工艺制造，具有卓越的增益、输出功率和线性性能，适合于通信、雷达、航空航天等领域的高性能需求。
其封装形式为气密封装，可有效提升长期可靠性，并提供优异的热管理能力，确保在高功率密度下的稳定运行。
型号：CST0850F-R82M
类型：GaN HEMT
工作频率范围：DC 至 18 GHz
增益：大于 15 dB
饱和输出功率：37 dBm
最大漏极电流：5 A
击穿电压：≥100 V
导通电阻：≤0.8 Ω
封装形式：气密金属封装
CST0850F-R82M 的主要特性包括：
1. 高频率范围支持，能够覆盖 DC 至 18 GHz 的宽频带应用。
2. 极高的输出功率密度，使得单个器件即可满足复杂系统的功率需求。
3. 高增益性能，在高频条件下仍能保持出色的信号放大能力。
4. 良好的线性度表现，适用于对失真要求严格的通信系统。
5. 增强型氮化镓工艺带来更高的效率与更低的功耗，减少热量产生。
6. 气密封装结构显著提高可靠性和抗环境干扰能力，延长使用寿命。
7. 兼容传统 LDMOS 和硅基工艺的设计流程，便于集成与升级。
CST0850F-R82M 广泛应用于以下领域：
1. 射频功率放大器（RF PA），特别是在基站、卫星通信等高频场景中。
2. 军事雷达系统，如相控阵雷达和脉冲多普勒雷达。
3. 微波链路设备，用于点对点或点对多点的无线通信。
4. 测试测量仪器，例如信号发生器和网络分析仪。
5. 航空航天领域中的高可靠性通信和导航系统。
6. 工业加热和等离子体生成等非通信类高功率射频应用。
CST0850F-R65M, CST0850F-R100M
