时间：2025/7/1 18:54:12
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CST0650F-100M是一款高性能的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为射频和微波应用设计。该器件采用先进的0.25μm GaN工艺技术制造，具有出色的高频性能和高功率密度，广泛应用于无线通信、雷达系统以及测试测量设备中。
其封装形式为气密封装，能够有效提升长期可靠性，并且具备较低的寄生电感，从而实现高效的射频能量转换。
最大漏源电压：70V
栅源电压：±4V
漏极直流电流：8A
输出功率：43dBm
增益：15dB
频率范围：DC至50GHz
导通电阻：0.1Ω
热阻：1.2°C/W
CST0650F-100M具有高击穿电压和低导通电阻的特点，使得它在高效率功率放大器应用中表现出色。
此外，这款器件支持宽禁带半导体技术，可提供比传统硅基器件更高的工作温度范围和更小的芯片尺寸。
其高增益和宽带宽能力使其非常适合需要多频段操作的应用场景。同时，由于采用了气密封装，该器件能够在恶劣环境下保持稳定的性能表现。
CST0650F-100M适用于多种高频、高功率应用场景，包括：
1. 5G基站及毫米波通信系统中的功率放大器模块。
2. 雷达发射机和接收机前端组件。
3. 卫星通信系统中的上变频器和下变频器。
4. 高端实验室测试仪器中的信号发生器和频谱分析仪。
5. 医疗成像设备中的超声波发射器部分。
6. 军用电子对抗系统中的干扰源生成。
CST0650F-120M
CST0650F-80M
