时间：2025/6/18 17:38:40
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CST0630F-R82M 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能射频功率晶体管，专为无线通信系统、雷达和电子战应用设计。这款晶体管采用了先进的封装技术以确保高可靠性和高效率，同时其卓越的增益和线性度使其成为高频射频功率放大器的理想选择。
该器件的工作频率范围广泛，适合多种应用场合，包括 S 波段和 C 波段的射频功率放大。此外，它具有高输出功率密度以及出色的热性能，能够满足严格的军事和商业标准要求。
型号：CST0630F-R82M
工作频率范围：2.5 GHz 至 6 GHz
饱和输出功率：50 W
增益：12 dB
电源电压：28 V
漏极效率：65 %
封装形式：金属壳体
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
输入匹配网络：集成
输出匹配网络：需外部匹配
CST0630F-R82M 的主要特性包括：
1. 基于氮化镓 (GaN) 材料制造，具备高击穿电压和高电子迁移率，从而实现更高的功率密度和效率。
2. 提供卓越的线性度和增益稳定性，适用于复杂的调制信号环境。
3. 集成输入匹配网络，简化了射频电路设计过程，减少了外部元件需求。
4. 采用坚固耐用的金属封装，提供良好的散热性能和电磁屏蔽效果。
5. 支持宽泛的工作频率范围，适用于多种无线通信标准及雷达应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可长期使用。
7. 具有低热阻特性，确保在高功率运行条件下的可靠性。
CST0630F-R82M 主要应用于以下领域：
1. 无线通信基站（如 LTE、5G）中的射频功率放大器模块。
2. 军用雷达系统中的发射机组件。
3. 卫星通信设备中的上变频器和下变频器。
4. 测试与测量仪器中用于产生高功率射频信号的部分。
5. 医疗成像设备中的超声波发射单元。
6. 工业加热和等离子体激发设备中的射频源。
CST0630F-R50M, CST0630F-R100M
