CSPEMI204G是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用PDFN5x6-8L封装形式。该器件主要应用于电源管理、电机驱动和消费类电子产品等领域。其设计旨在提供低导通电阻和快速开关特性,从而实现更高的效率和更低的功耗。
CSPEMI204G特别适用于需要高能效和紧凑型解决方案的应用场景。由于其卓越的电气特性和热性能,它能够支持各种严苛的工作条件。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
导通电阻:2.8mΩ
栅极电荷:19nC
总电容:1750pF
工作结温范围:-55℃至175℃
CSPEMI204G具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高整体系统效率。
2. 快速开关能力,减少开关损耗,适合高频应用。
3. 高电流承载能力,能够在大电流条件下保持稳定运行。
4. 优秀的热性能,确保在高温环境下仍能可靠工作。
5. 小型化的PDFN封装,节省PCB空间,非常适合对尺寸有严格要求的设计。
CSPEMI204G广泛用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和直流-直流转换器。
2. 电池管理和保护电路。
3. 消费类电子设备中的负载开关。
4. 工业控制和电机驱动应用。
5. LED驱动器和其他高效能功率转换系统。
CSPEMI203G
IRF7843
FDP5800