型号：CSN075D-100K
　　阻值：100kΩ
　　阻值公差：±1%
　　温度系数电阻（TCR）：±5ppm/°C
　　额定功率：0.75W（+70°C）
　　最大工作温度：+200°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +200°C
　　基板材料：96% Al2O3
　　端接电极：Au/TiW 或可选 NiPdAu
　　封装类型：SMD
　　尺寸（长×宽×高）：约 3.2mm × 1.6mm × 0.55mm
　　符合标准：RoHS, REACH

CSN075D-100K具备卓越的高温稳定性和长期可靠性，能够在持续200°C的工作环境中长时间运行而不发生显著的阻值漂移。其核心优势在于采用了Cissoid独有的高温薄膜制造工艺，这种工艺在高纯度氧化铝陶瓷基板上通过物理气相沉积（PVD）形成镍铬（NiCr）或类似合金的电阻膜层，随后经过精密激光修调以达到标称阻值和公差要求。该薄膜结构不仅提供了极低的温度系数电阻（TCR ±5ppm/°C），还表现出优异的非线性电压系数和低噪声特性，适用于高精度信号调理电路。由于整个制造过程避免使用有机材料或玻璃密封剂，该器件在高温下不会出现老化、脱气或开裂等问题，从而保证了在极端条件下的长期稳定性。
　　另一个关键特性是其出色的抗湿性和化学稳定性。CSN075D-100K的端接电极通常采用金基（Au/TiW）或镍钯金（NiPdAu）体系，这些金属系统具有很强的抗氧化和耐腐蚀能力，即使在高温高湿或含硫气体环境中也能维持良好的焊接性和电气连接可靠性。此外，该电阻器通过了多项国际标准的可靠性测试，包括高温储存寿命（HTSL）、温度循环（TC）、高压蒸煮（PCT）以及高加速应力测试（HAST），验证了其在恶劣工况下的耐用性。其0.75W的额定功率在同类高温SMD电阻中处于领先水平，意味着在相同散热条件下可承受更高的功耗负载，减少了并联需求，简化了电路设计。
　　CSN075D-100K还特别适用于需要功能安全认证的系统，如ISO 26262汽车功能安全标准下的电动汽车主逆变器或车载充电模块中的电压采样网络。其低TCR和高稳定性确保了在宽温域内测量精度的一致性，有助于提升整体系统的控制精度和安全性。此外，该器件支持自动化贴片生产，兼容标准SMT工艺流程，降低了制造成本和供应链复杂度。总体而言，CSN075D-100K是一款面向高端工业与能源市场的高性能无源元件，填补了传统厚膜电阻在高温应用中的性能空白。

CSN075D-100K广泛应用于需要在高温、高湿、强振动等恶劣环境下长期稳定工作的电子系统中。典型应用场景包括石油和天然气行业的井下测井设备，这类设备在钻探过程中需承受超过175°C的高温和高压环境，传统的商用级电阻难以满足其寿命和稳定性要求，而CSN075D-100K凭借其200°C连续工作能力和出色的阻值稳定性，成为理想的解决方案。在航空航天领域，该电阻可用于飞行控制系统、发动机监控单元和卫星电源管理模块，其中空间受限且热管理困难，要求元器件具备高功率密度和长期可靠性。
　　在新能源汽车领域，CSN075D-100K常用于电机控制器、DC-DC变换器和车载充电机中的电压反馈网络和电流检测电路。这些系统中的功率半导体（如SiC MOSFET）工作频率高、开关速度快，导致局部温升剧烈，普通电阻容易因热应力导致失效，而CSN075D-100K能够在这种高温热点区域提供稳定的分压比，保障控制环路的准确性。此外，在工业自动化和智能传感系统中，该电阻也用于高温环境下的桥式传感器信号调理电路、热电偶冷端补偿网络以及隔离放大器输入阻抗匹配。
　　电力电子设备如固态断路器、智能电网监测装置和风力发电机变流器同样依赖此类高温电阻来实现可靠的电压监测和能量管理功能。特别是在采用宽禁带半导体（GaN/SiC）的高频高效率拓扑中，CSN075D-100K的低寄生电感和高频率响应特性有助于减少动态误差，提高系统效率。其无磁材料设计也使其适用于MRI设备和其他对电磁干扰敏感的医疗电子仪器中的精密测量电路。

TS50R100KFBI