CSLS080N10C1是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于高效能电源管理领域。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻和高电流承载能力的特点,适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等场景。其封装形式为双面散热的DFN封装,能够有效提升散热效率并减小PCB占用空间。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):80A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):8.0mΩ(最大值)
功耗(Pd):150W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:DFN10C1
CSLS080N10C1的核心优势在于其超低导通电阻和优化的热性能,这使其在高功率应用中表现出色。该器件采用新一代沟槽式MOSFET设计,显著降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,其双面散热DFN封装不仅提升了散热性能,还支持紧凑型设计,适用于高密度PCB布局。
该MOSFET具备优异的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过压情况下保持稳定工作,提升系统的可靠性。其栅极设计优化了开关性能,降低了开关损耗,并减少了电磁干扰(EMI)。CSLS080N10C1还具备高短路电流耐受能力,适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
另外,CSLS080N10C1符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺,同时具备高抗湿性,适合在严苛环境中使用。这些特性使其成为高性能电源管理系统的理想选择。
CSLS080N10C1广泛应用于多个领域,包括但不限于:
? DC-DC转换器:用于电信设备、服务器电源和工业控制系统。
? 电池管理系统(BMS):适用于电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)和储能系统。
? 负载开关:用于高功率负载的快速控制,如电机驱动和加热元件。
? 电源管理模块:用于不间断电源(UPS)和工业自动化设备。
? 高效能电源供应器:适用于高功率密度电源适配器和充电器。
SiS828DY-T1-GE3, NexFET CSD17551Q5A, STMicroelectronics STL110N10F7