时间：2025/5/6 17:33:17
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CSD97396Q4M是德州仪器（TI）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的封装技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件广泛应用于电机驱动、DC-DC转换器、电源管理模块等领域，适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。
它属于PowerStack系列，优化了热性能和电气性能，适合于高密度电路设计。其出色的效率和散热特性使其成为众多工业及汽车应用的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：52A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：85nC
总电容：10nF
工作温度范围：-55℃至150℃
CSD97396Q4M采用了PowerStack堆叠式封装技术，能够显著降低寄生电感，提高整体效率和开关性能。
此外，它的超低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，在高频开关应用中表现出色。该芯片还具有较高的雪崩能力和稳健的短路耐受能力，确保在恶劣条件下依然具备可靠性。
其优化的热管理和低寄生效应设计，使得该元件非常适合用于紧凑型和高性能的设计需求。同时，它符合AEC-Q101标准，适用于汽车级应用环境。
CSD97396Q4M主要用于以下领域：
1. 电机驱动控制，例如电动车窗、座椅调节和水泵等。
2. DC-DC转换器和降压/升压电路中的功率开关。
3. 开关电源（SMPS）模块。
4. 汽车电子系统中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率控制单元。
凭借其高效的性能和卓越的稳定性，该器件能够满足多种严苛工况下的使用需求。
CSD97395Q4M
