CSD97376Q4M是德州仪器(TI)推出的一款先进的功率级氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)。该器件采用增强型GaN技术,旨在为高频开关应用提供卓越的效率和性能。其设计特别适合于电源管理、DC-DC转换器以及需要高效能和高频率运行的场景。
CSD97376Q4M通过将低导通电阻与快速开关特性相结合,能够显著减少功率损耗并提高系统整体效率。同时,它还具备出色的热性能和可靠性,适用于要求严苛的工业和消费类电子领域。
型号:CSD97376Q4M
类型:增强型GaN FET
封装:LLP8
导通电阻(Rds(on)):40mΩ
击穿电压(Vds):150V
栅极驱动电压(Vgs):4.5V至6V
连续漏极电流(Id):16A
工作温度范围:-55℃至+150℃
CSD97376Q4M的主要特性包括:
1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提升系统效率。
2. 快速开关速度,支持高频操作,从而减小无源元件尺寸。
3. 高击穿电压(Vds),确保在各种条件下稳定运行。
4. 良好的热性能,能够在高温环境下保持可靠的性能表现。
5. 兼容标准逻辑电平驱动信号,简化电路设计。
6. 符合RoHS标准,绿色环保。
这些特性使CSD97376Q4M成为高性能电源解决方案的理想选择。
CSD97376Q4M广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 图形处理器(GPU)供电模块
4. 通信设备中的高效电源
5. 工业自动化设备中的电源管理
6. 消费类电子产品中的充电解决方案
由于其高效的能量转换能力和紧凑的设计,这款器件非常适合对空间和效率有严格要求的应用场景。
CSD97375Q4M
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