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CSD97376Q4M 发布时间 时间:2025/5/6 13:29:34 查看 阅读:9

CSD97376Q4M是德州仪器(TI)推出的一款先进的功率级氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)。该器件采用增强型GaN技术,旨在为高频开关应用提供卓越的效率和性能。其设计特别适合于电源管理、DC-DC转换器以及需要高效能和高频率运行的场景。
  CSD97376Q4M通过将低导通电阻与快速开关特性相结合,能够显著减少功率损耗并提高系统整体效率。同时,它还具备出色的热性能和可靠性,适用于要求严苛的工业和消费类电子领域。

参数

型号:CSD97376Q4M
  类型:增强型GaN FET
  封装:LLP8
  导通电阻(Rds(on)):40mΩ
  击穿电压(Vds):150V
  栅极驱动电压(Vgs):4.5V至6V
  连续漏极电流(Id):16A
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

CSD97376Q4M的主要特性包括:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关速度,支持高频操作,从而减小无源元件尺寸。
  3. 高击穿电压(Vds),确保在各种条件下稳定运行。
  4. 良好的热性能,能够在高温环境下保持可靠的性能表现。
  5. 兼容标准逻辑电平驱动信号,简化电路设计。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保。
  这些特性使CSD97376Q4M成为高性能电源解决方案的理想选择。

应用

CSD97376Q4M广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 图形处理器(GPU)供电模块
  4. 通信设备中的高效电源
  5. 工业自动化设备中的电源管理
  6. 消费类电子产品中的充电解决方案
  由于其高效的能量转换能力和紧凑的设计,这款器件非常适合对空间和效率有严格要求的应用场景。

替代型号

CSD97375Q4M
  CSD97377Q4M

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CSD97376Q4M参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥16.22000剪切带(CT)2,500 : ¥8.26392卷带(TR)
  • 系列NexFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 输出配置半桥
  • 应用同步降压转换器
  • 接口PWM
  • 负载类型电感
  • 技术功率 MOSFET
  • 导通电阻(典型值)-
  • 电流 - 输出/通道20A
  • 电流 - 峰值输出45A
  • 电压 - 供电4.5V ~ 5.5V
  • 电压 - 负载4.5V ~ 24V
  • 工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 特性自举电路
  • 故障保护击穿,UVLO
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-PowerVFDFN
  • 供应商器件封装8-VSON(3.5x4.5)