CSD96497Q5MC 是一款由 TI(德州仪器)生产的高性能 NexFET 功率 MOSFET,采用先进的封装技术设计,旨在优化效率和热性能。该器件特别适用于高频开关应用,例如 DC-DC 转换器、负载点转换器(POL)、电机驱动以及分布式电源系统。
这款功率 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关特性,可以显著降低传导损耗和开关损耗,从而提高整体系统效率。同时,其小型封装使其非常适合空间受限的设计。
型号:CSD96497Q5MC
封装:QFN (WSON)
漏源极电压(Vds):30V
连续漏极电流(Id):48A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ
栅极电荷(Qg):29nC
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装尺寸:5mm x 6mm
CSD96497Q5MC 的主要特点是其超低的导通电阻 (Rds(on)) 和高效率的开关性能。该器件采用 TI 的 NexFET 技术,提供卓越的热管理和更低的功耗。
以下是其关键特性:
- 极低的 Rds(on),有助于减少导通损耗,适合高电流应用。
- 快速开关能力,支持高频操作,从而减小无源元件的尺寸。
- 优化的封装设计,可改善散热性能并增强可靠性。
- 高度集成,减少了外围元件数量,降低了系统复杂性。
- 广泛的工作温度范围,确保在极端条件下也能稳定运行。
此外,CSD96497Q5MC 还具备出色的抗电磁干扰能力和耐用性,能够在恶劣环境下长期使用。
CSD96497Q5MC 广泛应用于需要高效功率转换的场合,包括但不限于以下领域:
- 服务器和通信设备中的负载点转换器 (POL)。
- 笔记本电脑和台式机的电源管理系统。
- 工业自动化设备中的电机驱动电路。
- 分布式电源架构中的 DC-DC 转换器。
- 高效照明系统的驱动电路。
- 各种便携式电子设备的充电解决方案。
由于其出色的性能和可靠性,CSD96497Q5MC 成为众多工程师在设计高效率功率转换电路时的首选。
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