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CSD96370Q5M 发布时间 时间:2025/5/6 15:37:52 查看 阅读:18

CSD96370Q5M是德州仪器(TI)推出的高性能、高集成度的N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的封装和制造工艺,适用于对效率和热性能要求较高的应用场合。它广泛应用于电机驱动、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等领域。
  这款芯片属于Power MOSFET系列,具有较低的导通电阻和极快的开关速度,从而提高了整体系统的效率和稳定性。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  工作电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):48A
  导通电阻(Rds(on)):2.1mΩ
  栅极电荷(Qg):50nC
  输入电容(Ciss):3480pF
  最大功耗(Ptot):127W
  工作温度范围(Tj):-55°C 至 +175°C

特性

CSD96370Q5M采用超低导通电阻设计,显著降低了传导损耗。此外,其快速开关能力可以有效减少开关损耗,并且具备优秀的热稳定性和鲁棒性。
  此器件还具有出色的雪崩能力和短路耐受能力,使其在恶劣的工作条件下依然能够可靠运行。同时,它支持高频操作,非常适合现代高效能电子设备的需求。
  另外,它的优化封装结构改善了散热性能,为系统设计提供了更大的灵活性。

应用

CSD96370Q5M主要应用于工业及汽车领域中的大电流、高频开关场景。
  典型应用包括但不限于以下方面:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 电动车辆逆变器
  - 工业电机驱动
  - 太阳能微逆变器
  - 通信电源模块
  由于其卓越的性能和可靠性,CSD96370Q5M成为许多高性能应用的理想选择。

替代型号

CSD97380Q5B
  CSD97390Q5B
  CSD96350Q5B

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CSD96370Q5M参数

  • 产品培训模块NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件PowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装1
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列NexFET™
  • 类型高端/低端驱动器
  • 输入类型PWM
  • 输出数1
  • 导通状态电阻-
  • 电流 - 输出 / 通道40A
  • 电流 - 峰值输出60A
  • 电源电压3.3 V ~ 13.2 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳22-LFDFN
  • 供应商设备封装22-SON(5x6)
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称296-28235-6