CSD95472Q5MC是一款由德州仪器(TI)推出的高效率、高性能的同步降压DC-DC转换器用N沟道功率MOSFET。该芯片采用PowerStack?封装技术,具有较低的导通电阻和快速开关特性,适用于需要高电流密度和高效能的应用场景。这种双通道MOSFET器件非常适合用于服务器、通信设备、工业电源以及消费类电子产品的功率管理模块。
PowerStack?技术将两个独立的MOSFET集成在一个紧凑的封装中,减少了寄生电感,并提高了热性能,从而提升了整体效率。
型号:CSD95472Q5MC
封装类型:QFN-10 (RDL)
VDS(漏源电压):30V
RDS(on)(导通电阻):2.8mΩ @ VGS=10V
最大连续漏极电流:118A
栅极电荷(Qg):66nC
总电容(Ciss):3580pF
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装尺寸:5mm x 6mm
CSD95472Q5MC的主要特性包括:
1. 超低导通电阻(RDS(on)),可显著降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高电流处理能力,适合大功率应用。
3. PowerStack?技术优化了热管理和电气性能,减少寄生电感。
4. 快速开关速度,降低了开关损耗。
5. 紧凑型封装设计,节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
7. 广泛的工作温度范围,确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
8. 栅极驱动兼容性良好,易于与各种控制器配合使用。
CSD95472Q5MC广泛应用于以下领域:
1. 同步降压转换器中的功率级设计。
2. 电信和网络设备中的电源模块。
3. 工业自动化设备中的电机驱动和功率控制。
4. 消费类电子产品中的高效电源解决方案。
5. 数据中心和服务器的主板供电系统。
6. 图形处理器(GPU)和其他高性能计算平台的多相供电方案。
7. 可再生能源设备中的功率变换电路,如太阳能逆变器等。
CSD95471Q5M, CSD95473Q5MC