时间：2025/6/22 13:11:59
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CSD95379Q3MT是德州仪器（TI）推出的一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率级芯片。它将GaN FET和驱动器集成到单一封装中，适用于高性能、高频开关应用，例如服务器电源、通信电源和工业电源等场景。这款器件旨在提高功率密度并降低系统损耗。
封装：QFN-10(3x3)
额定电压：600V
导通电阻（Rds(on)）：80mΩ
栅极电荷：24nC
最大工作结温：175°C
连续漏极电流：9A
CSD95379Q3MT采用先进的GaN技术，能够提供比传统硅基MOSFET更高的开关频率和更低的开关损耗。
它集成了优化的栅极驱动电路，可减少寄生电感影响并增强整体性能。
此外，该芯片具有快速开关能力，支持高达2MHz的开关频率，从而允许设计更小的磁性元件和滤波器，进一步减小了系统尺寸。
由于其低导通电阻和低栅极电荷，CSD95379Q3MT在高频操作下表现出卓越的效率，并且能够在硬开关和软开关拓扑中实现最佳性能。
CSD95379Q3MT主要应用于需要高效能和高功率密度的场景，包括但不限于：
- 服务器和数据中心电源
- 通信设备中的DC/DC转换器
- 工业用开关电源（SMPS）
- 高效谐振转换器设计
- 快速充电适配器
- 不间断电源（UPS）系统
其高频特性和低损耗使其成为现代电力电子应用的理想选择。
CSD95378Q3M, CSD95380Q3M
