CSD95373AQ5M 是一款由德州仪器(TI)生产的高效、集成的 NexFET 功率块 MOSFET。该器件采用先进的封装技术,旨在优化功率密度和效率,适用于高电流应用场合。
该功率块包含两个MOSFET:一个用于高端开关,另一个用于低端开关,它们被设计为在高频开关条件下工作,并提供极低的导通电阻以减少功率损耗。
型号:CSD95373AQ5M
品牌:德州仪器 (TI)
类型:NexFET 功率块 MOSFET
封装:QFN-10 (5mm x 6mm)
最大漏源电压:25V
连续漏极电流:高达 58A (高端),64A (低端)
导通电阻 Rds(on):1.4mΩ (典型值,高端),1.0mΩ (典型值,低端)
栅极电荷 Qg:30nC (高端),23nC (低端)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
结温:最高 150°C
CSD95373AQ5M 提供了多种性能优势,使其成为高频、高电流应用的理想选择。
- 超低导通电阻:高端 MOSFET 的导通电阻仅为 1.4mΩ,低端 MOSFET 为 1.0mΩ,能够显著降低传导损耗。
- 高效散热:其 QFN 封装具备出色的热性能,有助于将热量迅速散发到 PCB 上。
- 优化的栅极驱动匹配:高低端 MOSFET 经过专门设计,具有兼容的栅极驱动要求,简化了驱动电路设计。
- 减少寄生电感:紧凑的封装结构降低了寄生电感,从而提高了整体开关性能。
- 高可靠性:通过 TI 的严格质量控制流程制造,确保长期使用中的稳定性和可靠性。
CSD95373AQ5M 广泛应用于需要高效功率转换的领域:
- DC-DC 转换器:如笔记本电脑适配器、服务器电源等高电流转换应用。
- 通信电源:支持电信基础设施中的高效电源解决方案。
- 工业电机驱动:用于高性能工业电机控制系统。
- 汽车电子系统:例如电动车辆的 DC-DC 转换模块。
- 多相 VR 控制器:支持多相电压调节模块,满足现代处理器对电源的严格要求。
CSD95372KCS, CSD97378Q5A