时间：2025/5/6 16:10:31
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CSD95372AQ5M是德州仪器（TI）推出的基于氮化镓（GaN）技术的高效率、高性能半桥功率级器件。它集成了一个高端和低端氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），以及专用驱动器，专为高频开关应用而设计，例如服务器电源、电信整流器、电机驱动器和DC-DC转换器等。该器件采用QFN封装，具备低寄生电感和优化的热性能，可显著提高系统的功率密度和效率。
其主要特点包括：低导通电阻（Rds(on)）、快速开关速度、较低的栅极电荷以及内置的自举二极管，从而简化了电路设计并减少了外围元件的数量。
型号：CSD95372AQ5M
类型：半桥功率级
技术：GaN（氮化镓）
封装：QFN-10
工作电压范围：10V - 60V
高端Rds(on)：8.5mΩ（典型值，@Vgs=6V）
低端Rds(on)：4.5mΩ（典型值，@Vgs=6V）
最大漏源电压（Vds）：100V
最高工作温度：150°C
栅极驱动电压范围：4.5V - 6V
连续漏极电流（Id）：20A（典型值）
CSD95372AQ5M具有以下关键特性：
1. 高效的氮化镓技术，能够实现比传统硅基MOSFET更高的开关频率和更低的损耗。
2. 内置自举二极管，减少了外部元件的需求，从而简化了电路设计。
3. 优化的QFN封装，提供低寄生电感和出色的散热性能。
4. 半桥拓扑结构，适合各种高频DC-DC转换应用。
5. 极低的导通电阻和栅极电荷，有助于降低传导和开关损耗。
6. 支持高达150°C的工作温度，增强了器件在高温环境下的可靠性。
这些特性使得CSD95372AQ5M成为高效电源系统中的理想选择。
CSD95372AQ5M适用于以下应用场景：
1. 数据中心和通信设备中的高效DC-DC转换器。
2. 电信整流器和基站电源。
3. 高频谐振转换器，如LLC或CLLC拓扑。
4. 工业电机驱动和逆变器控制。
5. 高功率密度AC-DC适配器。
6. 电动汽车充电站和其他需要高效功率转换的场合。
由于其高效率和高频性能，这款器件非常适合需要小尺寸和高功率密度的设计。
CSD95373KCS
CSD95371KCS
CSD95372Q5A
