CSD87501L是一款由TI(德州仪器)推出的高性能、低导通电阻的功率MOSFET芯片,采用SOIC-8封装形式。该器件专为要求高效率和紧凑设计的开关电源、DC-DC转换器以及负载点(POL)转换应用而设计。CSD87501L集成了优化的栅极驱动特性,具有快速开关速度和较低的开关损耗,非常适合高频工作环境。
型号:CSD87501L
制造商:TI(德州仪器)
封装:SOIC-8
VDS(漏源电压):30V
RDS(on)(导通电阻):4.6mΩ(典型值,在VGS=10V时)
Qg(栅极电荷):12nC(典型值)
ID(连续漏极电流):42A
fT(特征频率):2.5MHz
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
CSD87501L是一种高性能的N沟道功率MOSFET,主要特点包括:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),能够在高电流条件下显著降低功耗。
2. 快速开关性能,具有较小的栅极电荷(Qg),可以减少开关损耗。
3. 高电流承载能力(ID=42A),使其适合于大功率应用。
4. 小型SOIC-8封装,能够节省电路板空间。
5. 广泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),适应多种恶劣环境。
6. 具备良好的热稳定性和可靠性,适合长时间运行的设备。
这些特点使CSD87501L成为需要高效能和高可靠性的应用的理想选择,尤其是在便携式设备、通信电源和工业控制等领域。
CSD87501L广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于提高效率并减少发热。
2. DC-DC转换器:适用于各种降压、升压或反激拓扑结构。
3. 负载点(POL)转换:在分布式电源系统中提供高效的局部电压转换。
4. 电机驱动:可用于小型直流电机的驱动电路。
5. 电池管理系统:在电池保护和充放电管理中发挥关键作用。
6. 工业自动化和控制系统:为各种工业设备提供高效可靠的电源解决方案。
CSD87501L凭借其低导通电阻和快速开关性能,特别适合高频、高效率的应用场景。
CSD87502L, CSD87503L, CSD87504L