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CSD87501L 发布时间 时间:2025/5/6 20:49:37 查看 阅读:12

CSD87501L是一款由TI(德州仪器)推出的高性能、低导通电阻的功率MOSFET芯片,采用SOIC-8封装形式。该器件专为要求高效率和紧凑设计的开关电源、DC-DC转换器以及负载点(POL)转换应用而设计。CSD87501L集成了优化的栅极驱动特性,具有快速开关速度和较低的开关损耗,非常适合高频工作环境。

参数

型号:CSD87501L
  制造商:TI(德州仪器)
  封装:SOIC-8
  VDS(漏源电压):30V
  RDS(on)(导通电阻):4.6mΩ(典型值,在VGS=10V时)
  Qg(栅极电荷):12nC(典型值)
  ID(连续漏极电流):42A
  fT(特征频率):2.5MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

CSD87501L是一种高性能的N沟道功率MOSFET,主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),能够在高电流条件下显著降低功耗。
  2. 快速开关性能,具有较小的栅极电荷(Qg),可以减少开关损耗。
  3. 高电流承载能力(ID=42A),使其适合于大功率应用。
  4. 小型SOIC-8封装,能够节省电路板空间。
  5. 广泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),适应多种恶劣环境。
  6. 具备良好的热稳定性和可靠性,适合长时间运行的设备。
  这些特点使CSD87501L成为需要高效能和高可靠性的应用的理想选择,尤其是在便携式设备、通信电源和工业控制等领域。

应用

CSD87501L广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于提高效率并减少发热。
  2. DC-DC转换器:适用于各种降压、升压或反激拓扑结构。
  3. 负载点(POL)转换:在分布式电源系统中提供高效的局部电压转换。
  4. 电机驱动:可用于小型直流电机的驱动电路。
  5. 电池管理系统:在电池保护和充放电管理中发挥关键作用。
  6. 工业自动化和控制系统:为各种工业设备提供高效可靠的电源解决方案。
  CSD87501L凭借其低导通电阻和快速开关性能,特别适合高频、高效率的应用场景。

替代型号

CSD87502L, CSD87503L, CSD87504L

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CSD87501L参数

  • 现有数量9,846现货
  • 价格1 : ¥7.71000剪切带(CT)3,000 : ¥3.51783卷带(TR)
  • 系列NexFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N 沟道(双)共漏
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)-
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)40nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • 功率 - 最大值2.5W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳10-XFLGA
  • 供应商器件封装10-Picostar(3.37x1.47)