时间：2025/5/6 13:04:04
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CSD87381P是德州仪器（TI）推出的一款60V NexFET功率MOSFET。该器件采用先进的制程工艺，具有低导通电阻和高效的开关性能，适合于高效率、高密度的电源转换应用。此外，该芯片还具备出色的热性能，能够在紧凑的设计中提供更高的功率密度。
这款MOSFET主要用于降压转换器、多相电压调节模块（VRM）、负载点（POL）转换器以及DC-DC转换等应用。其封装形式为3.3mm x 3.3mm的QFN封装，有助于减少整体解决方案的尺寸。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：29A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：35nC
反向恢复电荷：17nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：QFN-8
CSD87381P采用了先进的硅技术，具有超低的导通电阻和优化的栅极电荷，从而实现了极高的效率和更低的功耗。
其优异的热阻特性允许在较高的结温下运行，同时保持较低的温升。
此外，该器件支持快速开关，减少了开关损耗，并且具备坚固耐用的设计以应对各种复杂的应用环境。
由于其小尺寸封装和高性能表现，CSD87381P非常适合应用于空间受限但对效率要求较高的场景。
CSD87381P广泛应用于计算机主板上的多相VRM电路、图形处理器（GPU）供电电路以及其他需要高效DC-DC转换的场合。
它也适用于工业设备中的负载点转换器，例如通信基础设施中的电源模块。
此外，任何要求小型化设计并追求高效率的电子设备都可以考虑使用此款功率MOSFET。
CSD87380P
CSD87382P
