时间：2025/5/6 21:02:04
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CSD87313DMS 是一款来自德州仪器（TI）的 NexFET 功率 MOSFET，采用 8 引脚小外形尺寸封装 (SON)。该器件专为高效率和高功率密度应用设计，适合开关电源、DC-DC 转换器、负载点转换器以及其他需要高效能功率切换的应用场景。
这款功率 MOSFET 内部采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻 (Rds(on)) 和优化的栅极电荷 (Qg)，从而能够在高频开关条件下提供出色的性能表现。
类型：功率 MOSFET
封装：SON-8
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：4.2mΩ @ Vgs=10V
Qg（栅极电荷）：15nC
Id（连续漏极电流）：50A
fsw（最大开关频率）：2MHz
工作温度范围：-55°C 至 150°C
CSD87313DMS 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以显著降低传导损耗，提高系统整体效率。
2. 栅极电荷 (Qg) 较低，有助于减少开关损耗，特别是在高频操作条件下。
3. 小型 SON-8 封装可以有效节省 PCB 空间，非常适合空间受限的设计。
4. 具有较高的雪崩耐量能力，增强可靠性。
5. 支持高达 2MHz 的开关频率，适合高频应用需求。
6. 广泛的工作温度范围 (-55°C 至 +150°C) 使其能够适应多种环境条件下的使用。
CSD87313DMS 常用于以下应用场景：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流功能。
2. 多相 VRM（电压调节模块）和负载点转换器中的高效功率开关。
3. 工业电机驱动和逆变器控制中的功率管理。
4. 笔记本电脑、服务器和其他消费类电子产品的电源管理系统。
5. 高频谐振转换器以及 LED 照明电源解决方案。
CSD87314Q5B, CSD87353Q5A
