CSD59973BQ5MC 时间：2025/4/29 9:07:16 阅读：2

CSD59973BQ5MC 是一款来自德州仪器 (TI) 的 NexFET 功率 MOSFET，采用小型 QFN 封装。该器件设计用于高效能的功率转换应用，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于同步整流、DC-DC 转换器以及负载点 (POL) 转换等场景。其优化的封装结构能够有效降低寄生电感，并提升散热性能。
　　该 MOSFET 为 N 沟道增强型器件，主要通过降低导通损耗和开关损耗来提高系统效率。

参数

最大漏源电压：40V
　　导通电阻（典型值）：1.8mΩ
　　栅极电荷：26nC
　　连续漏极电流：118A
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：QFN 5x6mm
　　最大功耗：16W

特性

CSD59973BQ5MC 的主要特点是其超低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷 (Qg)，这使得它非常适合高频开关应用。低 Rds(on) 减少了导通状态下的功率损耗，而低 Qg 则有助于实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
　　此外，该器件的高雪崩能力和坚固的设计使其能够在严苛的工作条件下保持可靠性。其小型化的 QFN 封装不仅节省了 PCB 空间，还减少了封装寄生效应，从而进一步提升了整体性能。
　　CSD59973BQ5MC 还具备出色的热性能，允许在较高的环境温度下运行，这对于高密度功率转换应用至关重要。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于：
　　- 高效 DC-DC 转换器
　　- 同步整流电路
　　- 负载点 (POL) 转换
　　- 电机驱动
　　- 服务器和通信电源模块
　　- 笔记本电脑和移动设备的充电解决方案
　　由于其高性能和紧凑尺寸，CSD59973BQ5MC 在需要高功率密度和高效率的应用场合表现尤为出色。