时间：2025/5/6 20:58:15
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CSD25484F4 是一款由 TI（德州仪器）推出的 60V NexFET 功率 MOSFET，采用先进的硅技术制造。它主要用于提高效率和降低功耗的应用场合。该器件具有极低的导通电阻和栅极电荷，使其非常适合高频开关应用。
这款功率 MOSFET 的封装形式为 3.3mm x 3.3mm SON（小外形无引脚），有助于节省 PCB 空间并支持高密度设计。其出色的性能参数使其成为消费电子、通信设备和工业应用中的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：29A
导通电阻（典型值）：17mΩ
栅极电荷（Qg）：11nC
总栅极电荷（Qgt）：19nC
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SON-8
CSD25484F4 提供了非常低的导通电阻 Rds(on)，这有助于减少传导损耗，特别是在大电流应用中。同时，其低栅极电荷特性也使得开关损耗得以降低，从而提高了整体系统效率。
此外，该 MOSFET 具备快速开关能力，可有效应用于高频 DC/DC 转换器和负载点转换器中。
它的小型化封装有助于简化 PCB 布局，并满足现代电子产品对紧凑设计的需求。
CSD25484F4 还具备良好的热性能，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气特性。
这款 MOSFET 广泛用于各种高效能电源管理解决方案，包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC/DC 转换器
3. 多相 VR 控制器
4. 笔记本电脑和台式机电源
5. 工业电机驱动
6. 消费类电子设备的电池管理系统
其高效的性能使它特别适合需要高频操作和低损耗的应用场景。
CSD18502F4, CSD18503Q5A
