时间：2025/4/29 11:49:37
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CSD25481F4T 是一款由德州仪器 (TI) 推出的高性能 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进的制造工艺设计，主要用于需要高效功率转换和低损耗的应用场景。该器件具有较低的导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。
此型号属于 NexFET 系列，其优化的封装形式和电气性能使其在空间受限的设计中表现尤为突出。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：39A
导通电阻（Rds(on)）：2.7mΩ
栅极电荷：36nC
输入电容：1080pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：DSO-NexFET
CSD25481F4T 的主要特点是其非常低的导通电阻 Rds(on)，仅为 2.7mΩ，这使得它在高电流应用中能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
同时，该器件具备快速的开关速度，有助于减少开关损耗并支持高频操作。此外，其宽广的工作温度范围（-55℃ 至 175℃）确保了其在各种恶劣环境下的可靠性。
由于采用了 DSO-NexFET 封装技术，这款 MOSFET 还拥有卓越的热性能，进一步增强了其在高温条件下的稳定性和耐用性。
CSD25481F4T 广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动电路
4. 工业自动化控制
5. 电池管理系统 (BMS)
6. 通信电源模块
这些应用得益于 CSD25481F4T 的低导通电阻和快速开关特性，可有效提升系统的整体性能。
CSD18506Q5B, IRF7846PBF, FDP060N06L
