时间：2025/5/6 20:48:26
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CSD25480F3是由TI（德州仪器）推出的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用SON-8封装，主要用于需要高效开关和低导通损耗的应用场景。其设计旨在降低导通电阻，从而提高效率并减少热耗散。
这款MOSFET特别适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备中的电源管理模块等应用。通过优化的工艺技术，它在高频开关条件下表现出优异的性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：1.4mΩ
栅极电荷：19nC
开关时间：ton=12ns, toff=15ns
工作结温范围：-55℃至175℃
CSD25480F3具有超低导通电阻，能够显著降低传导损耗，提升整体系统效率。
该器件采用了先进的半导体制造工艺，确保了高可靠性和稳定性。
其小型化的SON-8封装有助于节省PCB空间，非常适合空间受限的设计。
此外，它还具备快速开关能力，能够在高频条件下保持较低的开关损耗。
由于其宽泛的工作温度范围，CSD25480F3可以适应各种恶劣环境下的应用需求。
CSD25480F3广泛应用于消费类电子产品、工业控制和通信设备等领域。
在电源管理方面，它可以用于同步整流、降压/升压转换器以及负载开关。
此外，该器件还适合于小型电机驱动、电池保护电路以及其他需要高效功率转换的场合。
由于其出色的热性能和电气特性，CSD25480F3成为许多高性能应用的理想选择。
CSD18504Q5A
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