时间：2025/5/6 12:17:13
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CSD25402Q3A 是一款由德州仪器 (TI) 提供的 NexFET 功率 MOSFET，采用先进的硅技术制造。该器件为 N 沟道增强型 MOSFET，专为高效率开关应用设计。其低导通电阻和优化的开关性能使其非常适合于 DC-DC 转换器、负载点转换器、电机驱动以及电池供电设备等应用。
这款 MOSFET 具有出色的热性能和电气性能，能够有效降低功耗并提高整体系统效率。CSD25402Q3A 采用小巧的 QFN 封装（2.5mm x 2.5mm），有助于减少 PCB 空间占用，同时提供可靠的电气连接。
型号：CSD25402Q3A
类型：N 沟道 MOSFET
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：18mΩ @ VGS = 10V
最大连续漏电流：ID = 19A
栅极电荷：Qg = 38nC
反向恢复电荷：Qrr = 7nC
封装：WSON-6 (2.5mm x 2.5mm)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
CSD25402Q3A 提供了以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，有助于降低传导损耗，从而提升效率。
2. 优化的栅极电荷 (Qg)，可实现快速开关，进一步降低开关损耗。
3. 高度集成的小型 WSON-6 封装，节省 PCB 布局空间。
4. 支持高频操作，适合同步整流和降压/升压拓扑。
5. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，确保在各种环境下的可靠性。
6. 反向恢复电荷 (Qrr) 较低，减少寄生二极管的影响，提升整体性能。
这些特性使 CSD25402Q3A 成为高功率密度和高效能设计的理想选择。
CSD25402Q3A 主要应用于以下领域：
1. 同步整流 DC-DC 转换器。
2. 降压或升压电源管理模块。
3. 笔记本电脑和平板电脑的适配器。
4. 电动工具及便携式电子设备中的电池管理系统。
5. 汽车电子中的辅助电源电路。
6. 工业自动化设备中的电机驱动控制。
7. 高效节能的 LED 驱动电路。
其优异的性能和紧凑的封装使得该器件适用于广泛的高效率、小体积需求的应用场景。
CSD18502Q3A
CSD25404Q5A
